[發明專利]半導體裝置有效
| 申請號: | 201110256501.2 | 申請日: | 2011-09-01 |
| 公開(公告)號: | CN102623064A | 公開(公告)日: | 2012-08-01 |
| 發明(設計)人: | 崔珉碩 | 申請(專利權)人: | 海力士半導體有限公司 |
| 主分類號: | G11C17/16 | 分類號: | G11C17/16 |
| 代理公司: | 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 郭放;許偉群 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 裝置 | ||
1.一種半導體裝置,包括:
傳輸控制信號發生單元,所述傳輸控制信號發生單元被配置為接收時鐘信號,并基于所述時鐘信號產生多個分頻時鐘信號,以從所述多個分頻時鐘信號輸出傳輸控制信號;
熔絲信號傳輸單元,所述熔絲信號傳輸單元被配置為與所述傳輸控制信號同步地傳送熔絲信息;
接收控制信號發生單元,所述接收控制信號發生單元被配置為接收所述時鐘信號并產生所述多個分頻時鐘信號,并且基于所述多個分頻時鐘信號來產生接收控制信號;以及
熔絲信號接收單元,所述熔絲信號接收單元被配置為與所述接收控制信號同步地接收所述熔絲信息。
2.如權利要求1所述的半導體裝置,其中,所述傳輸控制信號發生單元包括:
時鐘分頻部,所述時鐘分頻部被配置為將所述時鐘信號分頻,并產生所述多個分頻時鐘信號;以及
時鐘譯碼部,所述時鐘譯碼部被配置為將所述多個分頻時鐘信號譯碼,并產生被順序地使能的所述傳輸控制信號。
3.如權利要求2所述的半導體裝置,其中,所述熔絲信號傳輸單元在每當所述傳輸控制信號被順序地使能時接收并行輸入的熔絲信號,并且產生串行輸出的所述熔絲傳輸信號。
4.如權利要求3所述的半導體裝置,其中,所述接收控制信號發生單元包括:
時鐘分頻部,所述時鐘分頻部被配置為將所述時鐘信號分頻,并產生所述多個分頻時鐘信號;以及
時鐘譯碼部,所述時鐘譯碼部被配置為將所述多個分頻時鐘信號譯碼,并產生被順序地使能的所述接收控制信號。
5.如權利要求3所述的半導體裝置,其中,所述熔絲信號接收單元在每當所述接收控制信號被順序地使能時接收串行輸入的所述熔絲傳輸信號,并且產生并行輸出的熔絲輸出信號。
6.如權利要求5所述的半導體裝置,還包括:
穿通硅通孔TSV選擇單元,所述TSV選擇單元被配置為將所述熔絲輸出信號譯碼,并產生TSV選擇信號。
7.一種半導體裝置,包括:
時鐘分頻單元,所述時鐘分頻單元被配置為將時鐘信號分頻并產生多個分頻時鐘信號;
信號傳輸模塊,所述信號傳輸模塊被配置為響應于所述分頻時鐘信號來傳送熔絲信息;
位于主芯片中的主芯片信號接收模塊,所述主芯片信號接收模塊被配置為響應于所述多個分頻時鐘信號來接收所述熔絲信息,并產生穿通硅通孔TSV選擇信號;以及
位于從芯片中的從芯片信號接收模塊,所述從芯片信號接收模塊被配置為響應于所述多個分頻時鐘信號來接收所述熔絲信息,并產生所述TSV選擇信號。
8.如權利要求7所述的半導體裝置,其中,所述信號傳輸模塊包括:
傳輸控制信號發生單元,所述傳輸控制信號發生單元被配置為從所述多個分頻時鐘信號產生傳輸控制信號;以及
熔絲信號傳輸單元,所述熔絲信號傳輸單元被配置為與所述傳輸控制信號同步地從熔絲信號產生熔絲傳輸信號。
9.如權利要求8所述的半導體裝置,其中,所述傳輸控制信號發生單元通過將所述多個分頻時鐘信號譯碼來產生被順序地使能的所述傳輸控制信號。
10.如權利要求9所述的半導體裝置,其中,所述熔絲信號傳輸單元在每當所述傳輸控制信號被順序地使能時接收并行輸入的所述熔絲信號,并且產生串行輸出的所述熔絲傳輸信號。
11.如權利要求8所述的半導體裝置,其中,所述主芯片信號接收模塊包括:
接收控制信號發生單元,所述接收控制信號發生單元被配置為從所述多個分頻時鐘信號產生接收控制信號;
熔絲信號接收單元,所述熔絲信號接收單元被配置為與所述接收控制信號同步地從所述熔絲傳輸信號產生熔絲輸出信號;以及
TSV選擇單元,所述TSV選擇單元被配置為將所述熔絲輸出信號譯碼,并產生所述TSV選擇信號。
12.如權利要求11所述的半導體裝置,其中,所述接收控制信號具有與所述傳輸控制信號實質上相同的相位。
13.如權利要求11所述的半導體裝置,其中,所述接收控制信號發生單元包括譯碼部,所述譯碼部被配置為將所述多個分頻時鐘信號譯碼,并產生被順序地使能的所述接收控制信號。
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