[發明專利]有機發光裝置及其制造方法有效
| 申請號: | 201110256269.2 | 申請日: | 2006-12-05 |
| 公開(公告)號: | CN102299167A | 公開(公告)日: | 2011-12-28 |
| 發明(設計)人: | 崔熙東 | 申請(專利權)人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 李輝 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光 裝置 及其 制造 方法 | ||
本申請是申請日為2006年12月5日、申請號為200610164533.9、發明名稱為“有機發光裝置及其制造方法”的中國發明專利申請的分案申請。
技術領域
本發明涉及有機發光裝置及其制造方法。
背景技術
在平板顯示裝置中,發光裝置的優點在于它具有高響應速度和低功耗。還可以將發光裝置制造為尺寸薄并且重量輕,因為它不需要背光。
具體地說,有機發光裝置具有位于陽極與陰極之間的有機發光層。來自陽極的空穴與來自陰極的電子在有機發光層內結合而產生空穴-電子對,即激子。有機發光裝置由于激子返回到基態時產生的能量而發光。
有機發光裝置包括具有紅色、綠色以及藍色發射層的多個子像素以顯示全彩色圖像。并且,可以使用阻隔壁(barrier?rib)在各個子像素中形成紅色、綠色或藍色發射層。
圖1A是根據現有技術的有機發光裝置的剖面圖。
參照圖1A,在基板140上設置有包括第一電極150、發射層180以及第二電極185的發光二極管190。
第一電極150可以是陽極,并且可以淀積有諸如氧化銦錫的透明導電膜,然后被構圖為多個條紋的形式。
在第一電極150上設置有絕緣層160,該絕緣層160包括用于暴露第一電極150的開口165,并且在絕緣層160上以懸垂的形式設置有阻隔壁170。發射層180設置在開口165中,第二電極185設置在發射層180上。通過具有懸垂形式的阻隔壁170來對發射層180和第二電極185進行構圖。
圖1B是根據另一現有技術的有機發光裝置的剖面圖。
參照圖1B,在第一基板100上設置有包括半導體層105、柵絕緣層110、柵極115、互絕緣層120、源極125a和漏極125b的薄膜晶體管T。
第二基板140被設置為與第一基板100相對。在第二基板140上設置有包括第一電極150、發射層180以及第二電極185的發光二極管190。
第一電極150可以是陽極,并且第一電極150可以是基本上形成在第二基板140的整個表面上的公共電極。第一電極150可以包括諸如氧化銦錫的透明導電材料。在第一電極150上設置有絕緣層160,該絕緣層160包括用于暴露第一電極150的開口165,在絕緣層160上以懸垂的形式設置有阻隔壁170。發射層180設置在開口165中,第二電極185設置在發射層180上。通過具有懸垂形式的阻隔壁170來對發射層180和第二電極185進行構圖。
當將第一基板100與第二基板140相互接合時,通過金屬線195將第一基板100的漏極125b與第二基板140的第二電極185相互電連接。因此,可以通過第一基板100的薄膜晶體管來驅動設置在第二基板140上的發光二極管190。上述結構使得其中第一電極150包括透明導電材料并且具有提供高透射率的優點的倒置型OLED可以作為頂發射型裝置。
如此構造的有機發光裝置在通過布線或薄膜晶體管對第一電極和第二電極施加規定的電信號時受到驅動以顯示圖像。
然而,該有機發光裝置設置了按條紋或全表面電極形式并且使用具有高功函數的透明導電膜(例如ITO膜)的第一電極。因此,第一電極的薄層電阻增大,因此信號到各像素的傳輸被延遲。特別的是,在大面積發光裝置的情況下,信號傳輸被嚴重地延遲,因而不能顯示期望的圖像。
發明內容
因此,本發明的目的是提供一種有機發光裝置及其制造方法,該有機發光裝置能夠通過減小到各個子像素的信號傳輸的延遲來改進圖像的質量。
為了實現以上目的,本發明提供了一種有機發光裝置,該有機發光裝置包括:包括發射區和非發射區的第一基板;設置在第一基板上的第一電極;設置在第一電極的非發射區的一部分上的輔助電極,所述輔助電極電連接到第一電極;多個阻隔壁,所述多個阻隔壁分別設置在位于第一電極的一個非發射區的一部分上的兩個輔助電極之間,各個阻隔壁都具有懸垂結構;設置在第一電極的發射區上的發射層;以及設置在發射層上的第二電極,其中,輔助電極設置在阻隔壁的下部的一部分上,并且,輔助電極的厚度可以基本等于或大于發射層與第二電極的厚度之和。
輔助電極可以包括電阻比第一電極低的材料。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





