[發明專利]有機發光裝置及其制造方法有效
| 申請號： | 201110256269.2 | 申請日： | 2006-12-05 |
| 公開（公告）號： | CN102299167A | 公開（公告）日： | 2011-12-28 |
| 發明（設計）人： | 崔熙東 | 申請（專利權）人： | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/32 | 分類號： | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司： | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人： | 李輝 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 有機 發光 裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種有機發光裝置，該有機發光裝置包括：
包括發射區和非發射區的第一基板；
設置在所述第一基板上的第一電極；
設置在所述第一電極的所述非發射區的一部分上的輔助電極，所述輔助電極電連接到所述第一電極；
多個阻隔壁，所述多個阻隔壁分別位于所述第一電極的一個非發射區的一部分上，并且具有底切結構；
設置在所述第一電極的所述發射區上的發射層；以及
設置在所述發射層上的第二電極，
其中，所述輔助電極被形成為，在由所述阻隔壁的底切結構而形成的空檔部分中與所述阻隔壁的內壁相接觸，
其中，所述輔助電極的厚度基本等于或大于所述發射層與所述第二電極的厚度之和。
2.根據權利要求1所述的有機發光裝置，該有機發光裝置還包括：
被設置為與所述第一基板相對并且其上具有多個薄膜晶體管的第二基板，各個薄膜晶體管都包括半導體層、與所述半導體層的一部分相對應的柵極、設置在所述半導體層與所述柵極之間的柵絕緣層、以及電連接到所述半導體層的源極和漏極，其中，所述漏極與所述第二電極相互電連接。
3.根據權利要求1所述的有機發光裝置，其中，所述輔助電極包括電阻低于所述第一電極的材料。
4.根據權利要求3所述的有機發光裝置，其中，所述輔助電極包括從由Al、Mo和Cr組成的組中選擇的任何一種或更多種。
5.根據權利要求1所述的有機發光裝置，其中，所述第一電極是陽極。
6.根據權利要求2所述的有機發光裝置，其中，所述第一電極是陽極和公共電極。
7.根據權利要求1所述的有機發光裝置，其中，所述阻隔壁按柵格結構設置在所述第一電極上以限定多個發射區，并且，所述阻隔壁和所述輔助電極位于所述多個發射區的外部。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
