[發(fā)明專利]發(fā)光元件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110256143.5
• 申請日: 2011-08-25
• 公開（公告）號: CN102386294A
• 公開（公告）日: 2012-03-21
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 神谷真央;出口將士
• 申請（專利權(quán)）人: 豐田合成株式會社
• 主分類號: H01L33/36
• 分類號: H01L33/36;H01L33/44
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 康建峰;陳煒

本申請基于分別于2010年8月27日和2011年6月8日提交的日本專利申請No.2010-190779和日本專利申請No.2011-128390，其全部內(nèi)容通過引用合并于此。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及具有將其中發(fā)射的光以其光提取方向反射的結(jié)構(gòu)的發(fā)光元件。

背景技術(shù)

迄今為止，已知一種倒裝片類型的發(fā)光元件，其中，p型電極和n型電極形成于在藍(lán)寶石襯底上所形成的氮化物半導(dǎo)體的同一表面內(nèi)(例如，JP-A-2008-288548)。JP-A-2008-288548中公開的發(fā)光元件具有在p型半導(dǎo)體層和n型半導(dǎo)體層之間的發(fā)光層，并且在p型半導(dǎo)體層上形成有具有半透明性的、由銦錫氧化物(ITO)等所組成的擴散電極。在擴散電極上形成有通過按順序地堆疊Ni和Al、然后進行加熱以合金化而獲得的緩沖電極。另外，用于對從發(fā)光層發(fā)射并穿過了擴散電極的光進行反射的金屬反射膜形成在擴散電極上方、不同于緩沖電極的部分中。

發(fā)明內(nèi)容

JP-A-2008-288548中公開的發(fā)光元件可以工作以使得從發(fā)光層發(fā)射并穿過擴散電極的光的一部分被金屬反射膜所反射，而光的其它部分被緩沖電極或n型電極所吸收。因此，發(fā)光元件在提高光提取效率方面受限。

因此，本發(fā)明的目的是提供一種提取從其發(fā)光層所發(fā)射的光的光提取效率能夠提高的發(fā)光元件。

(1)根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，發(fā)光元件包括：

半導(dǎo)體層狀結(jié)構(gòu)，該半導(dǎo)體層狀結(jié)構(gòu)包括第一導(dǎo)電類型的第一半導(dǎo)體層、發(fā)光層和與第一導(dǎo)電類型不同的第二導(dǎo)電類型的第二半導(dǎo)體層，發(fā)光層和第二半導(dǎo)體層的一部分被去除，以暴露出第一半導(dǎo)體層的一部分；

第一反射層，該第一反射層在半導(dǎo)體層狀結(jié)構(gòu)上并且包括開口，該開口形成在第一半導(dǎo)體層的被暴露的部分中；

透明配線電極，該透明配線電極用于通過開口向第一半導(dǎo)體層或第二半導(dǎo)體層中注入載流子；以及

第二反射層，該第二反射層形成于透明配線電極上并覆蓋開口的一部分，以便將從發(fā)光層發(fā)射并穿過開口的光反射回第一半導(dǎo)體層。

在本發(fā)明的上述實施例(1)中，可以進行下述修改和改變。

(i)發(fā)光元件還包括：

接觸電極，該接觸電極包括透明導(dǎo)電層，該接觸電極的一個表面與透明配線電極相接觸，而該接觸電極的另一表面與第一半導(dǎo)體層或第二半導(dǎo)體層相接觸。

(ii)接觸電極包括與透明配線電極相同的電極材料。

(iii)第一反射層形成于第二半導(dǎo)體層或第一半導(dǎo)體層的接觸電極的一部分上。

(iv)發(fā)光元件還包括：

絕緣層，該絕緣層形成于第一反射層和第二反射層之間和/或第一反射層和透明配線電極之間。

(v)發(fā)光元件還包括：

金屬配線電極，該金屬配線電極形成于第一反射層上的、除開口之外的區(qū)域處，且該金屬配線電極電連接到透明配線電極。

(vi)第一反射層包括第二半導(dǎo)體層的接觸電極。

(vii)透明配線電極與第一半導(dǎo)體層接觸。

(viii)第一半導(dǎo)體層的接觸電極包括透明導(dǎo)電層，并且透明配線電極與透明導(dǎo)電層接觸。

(ix)發(fā)光元件是倒裝片類型的，以便沿著從第一反射層或第二反射層穿過半導(dǎo)體層狀結(jié)構(gòu)的方向來提取從發(fā)光層發(fā)射的光。

本發(fā)明的要點

根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，構(gòu)造發(fā)光元件，使得p型半導(dǎo)體層的p側(cè)接觸層上的接觸電極由對從有源層發(fā)射的光是透明的ITO所形成，第一反射層形成于其上，而第二反射層形成于第一反射層的、設(shè)置有p側(cè)透明配線電極層的p側(cè)第一絕緣薄膜開口上。因此，可以將所發(fā)射的光以高比率反射回光提取方向，而不被p側(cè)透明接觸電極所吸收，使得可以提高發(fā)光元件的光提取效率。

附圖說明

下面將參照附圖解釋根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施例，其中：

圖1是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明第一實施例的發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)的平面圖；

圖2A是沿著圖1中的A-A線的橫截面圖；

圖2B是圖2A的局部放大視圖；

圖3A到圖3I是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的發(fā)光元件制造過程中的一個步驟的平面圖；

圖4是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明第二實施例的發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)的平面圖；以及

圖5是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明第三實施例的發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)的平面圖。

具體實施方式

第一實施例