[發明專利]發光元件

有效

• 申請號: 201110256143.5
• 申請日: 2011-08-25
• 公開（公告）號: CN102386294A
• 公開（公告）日: 2012-03-21
• 發明（設計）人: 神谷真央;出口將士
• 申請（專利權）人: 豐田合成株式會社
• 主分類號: H01L33/36
• 分類號: H01L33/36;H01L33/44
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 康建峰;陳煒

1.一種發光元件，包括：

半導體層狀結構，所述半導體層狀結構包括第一導電類型的第一半導體層、發光層以及與所述第一導電類型不同的第二導電類型的第二半導體層，所述發光層和所述第二半導體層的一部分被去除，以暴露出所述第一半導體層的一部分；

第一反射層，所述第一反射層在所述半導體層狀結構上并且包括開口，所述開口形成在所述第一半導體層的被暴露的部分中；

透明配線電極，所述透明配線電極用于通過所述開口向所述第一半導體層或所述第二半導體層中注入載流子；以及

第二反射層，所述第二反射層形成于所述透明配線電極上并覆蓋所述開口的一部分，以便將從所述發光層發射并穿過所述開口的光反射回所述第一半導體層。

2.根據權利要求1所述的發光元件，還包括：

接觸電極，所述接觸電極包括透明導電層，所述接觸電極的一個表面與所述透明配線電極接觸，而所述接觸電極的另一表面與所述第一半導體層或所述第二半導體層接觸。

3.根據權利要求2所述的發光元件，其中，所述接觸電極包括與所述透明配線電極相同的電極材料。

4.根據權利要求2所述的發光元件，其中，所述第一反射層形成于所述第二半導體層或所述第一半導體層的所述接觸電極的一部分上。

5.根據權利要求1所述的發光元件，還包括：

絕緣層，所述絕緣層形成于所述第一反射層和所述第二反射層之間和/或所述第一反射層和所述透明配線電極之間。

6.根據權利要求1所述的發光元件，還包括：

金屬配線電極，所述金屬配線電極形成于所述第一反射層上的、除所述開口之外的區域處，并且所述金屬配線電極電連接到所述透明配線電極。

7.根據權利要求1所述的發光元件，其中，所述第一反射層包括所述第二半導體層的接觸電極。

8.根據權利要求7所述的發光元件，其中，所述透明配線電極與所述第一半導體層接觸。

9.根據權利要求7所述的發光元件，其中，所述第一半導體層的接觸電極包括透明導電層，并且所述透明配線電極與所述透明導電層接觸。

10.根據權利要求1所述的發光元件，其中，所述發光元件為倒裝片類型，以便沿著從所述第一反射層或所述第二反射層穿過所述半導體層狀結構的方向來提取從所述發光層發射的光。

11.根據權利要求10所述的發光元件，其中，所述第一反射層包括所述第二半導體層的接觸電極。

12.根據權利要求11所述的發光元件，其中，所述透明配線電極與所述第一半導體層接觸。