[發明專利]半導體器件及其制作方法

無效

• 申請號: 201110255757.1
• 申請日: 2011-08-31
• 公開（公告）號: CN102969270A
• 公開（公告）日: 2013-03-13
• 發明（設計）人: 毛智彪;胡友存
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/522
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 陸花

1.一種半導體器件的制作方法，包括：

提供半導體襯底，所述半導體襯底包括冗余金屬區和非冗余金屬區；

在所述半導體襯底上形成介質層；

減薄所述非冗余金屬區上的介質層；

刻蝕所述介質層以形成冗余金屬槽和金屬導線槽，所述冗余金屬槽的深度小于所述金屬導線槽的深度；

在所述冗余金屬槽和金屬導線槽內以及介質層上沉積金屬層；以及

進行化學機械研磨工藝直至暴露出所述介質層的表面，以形成冗余金屬和金屬導線，所述冗余金屬的高度小于所述金屬導線的高度。

2.如權利要求1所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，利用光刻和刻蝕的方式減薄非冗余金屬區上的介質層。

3.如權利要求1所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，刻蝕所述介質層以形成冗余金屬槽和金屬導線槽的步驟包括：

同時刻蝕所述冗余金屬區和非冗余金屬區上的介質層，以同時形成冗余金屬槽和金屬導線槽，所述冗余金屬槽的深度小于所述金屬導線槽的深度。

4.如權利要求1所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，刻蝕所述介質層以形成冗余金屬槽和金屬導線槽的步驟包括：

刻蝕所述非冗余金屬區上的介質層形成通孔；

同時刻蝕所述冗余金屬區和非冗余金屬區上的介質層，以同時形成冗余金屬槽和金屬導線槽，所述冗余金屬槽的深度小于所述金屬導線槽的深度。

5.如權利要求1所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，刻蝕所述介質層以形成冗余金屬槽和金屬導線槽的步驟包括：

在所述介質層上形成硬掩膜層；

刻蝕所述硬掩膜層形成硬掩膜層槽并去除所述冗余金屬區上的硬掩膜層；

刻蝕所述非冗余金屬區上的介質層以在所述硬掩膜層槽的位置形成通孔；

同時刻蝕所述冗余金屬區和非冗余金屬區上的介質層，以同時形成冗余金屬槽和金屬導線槽，所述冗余金屬槽的深度小于所述金屬導線槽的深度。

6.如權利要求1至5中任意一項所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，所述介質層為低k介質層。

7.一種利用權利要求1所述的方法形成的半導體器件，其特征在于，包括：

半導體襯底；

形成于所述半導體襯底上的介質層；

形成于所述介質層中的冗余金屬和金屬導線，所述冗余金屬的高度小于所述金屬導線的高度。