[發(fā)明專利]具有多個(gè)接觸部的發(fā)光元件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110254149.9
• 申請日: 2011-08-31
• 公開（公告）號(hào): CN102446949A
• 公開（公告）日: 2012-05-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳世益;許嘉良;徐子杰;巫漢敏;許晏銘;黃建富;陳昭興;姚久琳;劉欣茂;鐘健凱
• 申請（專利權(quán)）人: 晶元光電股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/15
• 分類號(hào): H01L27/15;H01L33/10;H01L33/36
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 彭久云

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種發(fā)光元件，特別是涉及一種具有多個(gè)接觸部的發(fā)光元件。

背景技術(shù)

發(fā)光二極管(Light-emitting?Diode；LED)目前已經(jīng)廣泛地使用在光學(xué)顯示裝置、交通標(biāo)志、數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置、通訊裝置、照明裝置與醫(yī)療器材上。已知的LED具有金屬電流擴(kuò)散層位于基板與發(fā)光疊層之間，例如鈦/金或鉻/金的金屬層。但是金屬電流擴(kuò)散層會(huì)吸收LED產(chǎn)生的光，導(dǎo)致LED的發(fā)光效率降低。

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)光元件具有支持基板；反射層形成于支持基板之上；透明層形成于反射層之上；發(fā)光疊層形成于透明層之上；蝕刻阻擋層形成于發(fā)光疊層與反射層之間；通孔形成于發(fā)光疊層之中；以及導(dǎo)電層位于發(fā)光疊層的側(cè)壁且經(jīng)由通孔實(shí)質(zhì)上接觸蝕刻阻擋層。

發(fā)光元件具有支持基板；反射層形成于支持基板之上；透明層形成于反射層之上；發(fā)光疊層形成于透明層之上；蝕刻阻擋層形成于透明層與反射層之間；以及多個(gè)接觸部形成于發(fā)光疊層與透明層之間。

發(fā)光裝置具有支持基板；第一發(fā)光元件與第二發(fā)光元件形成于支持基板之上，其中第一發(fā)光元件具有透明層形成于支持基板之上；第一發(fā)光疊層形成于透明層之上；以及接觸部形成于透明層與第一發(fā)光疊層之間，與第二發(fā)光元件具有電極；以及第二發(fā)光疊層形成于電極與支持基板之間；以及金屬線形成于支持基板之上且電連接電極與接觸部。

附圖說明

圖1A～1F為本發(fā)明實(shí)施例的發(fā)光元件制造流程圖。

圖2為本發(fā)明另一實(shí)施例的發(fā)光元件的剖面圖。

圖3為本發(fā)明另一實(shí)施例的發(fā)光元件的剖面圖。

圖4為本發(fā)明實(shí)施例的發(fā)光裝置的剖面圖。

圖5為本發(fā)明另一實(shí)施例的發(fā)光裝置的剖面圖。

圖6為本發(fā)明實(shí)施例的光源產(chǎn)生裝置的示意圖。

圖7為本發(fā)明實(shí)施例的背光模塊的示意圖。

附圖標(biāo)記說明

1、2、3：發(fā)光元件?????????10：生長基板

11：蝕刻阻擋層????????????12：發(fā)光疊層

122：第一半導(dǎo)體層?????????124：有源層

126：第二半導(dǎo)體層?????????13：反射層

14：臨時(shí)基板??????????????15：粘結(jié)層

16：接觸部????????????????17：支持基板

18：透明層????????????????19：通孔

2：發(fā)光元件???????????????20：導(dǎo)電部

21：第一電極??????????????22：第二電極

32：導(dǎo)電層????????????????4、5：發(fā)光裝置

41：第一發(fā)光元件??????????42：第二發(fā)光元件

43：絕緣層????????????????44：金屬線

52：電流阻擋層????????????6：光源產(chǎn)生裝置

61：光源??????????????????62：電源供應(yīng)系統(tǒng)

63：控制元件??????????????7：背光模塊

71：光學(xué)元件

具體實(shí)施方式

本發(fā)明的實(shí)施例將被詳細(xì)地描述，并且繪制于附圖中，相同或類似的部分會(huì)以相同的號(hào)碼在各附圖以及說明出現(xiàn)。