[發(fā)明專利]具有多個(gè)接觸部的發(fā)光元件有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110254149.9 | 申請(qǐng)日: | 2011-08-31 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102446949A | 公開(公告)日: | 2012-05-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳世益;許嘉良;徐子杰;巫漢敏;許晏銘;黃建富;陳昭興;姚久琳;劉欣茂;鐘健凱 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 晶元光電股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/15 | 分類號(hào): | H01L27/15;H01L33/10;H01L33/36 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人: | 彭久云 |
| 地址: | 中國臺(tái)*** | 國省代碼: | 中國臺(tái)灣;71 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 具有 接觸 發(fā)光 元件 | ||
1.發(fā)光元件包括:
支持基板;
反射層,位于該支持基板之上;
透明層,位于該反射層之上;
發(fā)光疊層,位于該透明層之上;
蝕刻阻擋層,位于該發(fā)光疊層與該反射層之間;
多個(gè)接觸部,位于該發(fā)光疊層與該反射層之間;
通孔,位于該發(fā)光疊層之中;以及
導(dǎo)電層,位于該發(fā)光疊層的側(cè)壁且通過該通孔接觸該蝕刻阻擋層。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件,還包括第一電極,位于該導(dǎo)電層之上。
3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件,還包括多個(gè)導(dǎo)電部,位于該發(fā)光疊層之上。
4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件,其中任一該多個(gè)接觸部中包括多個(gè)從屬層。
5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件,其中該發(fā)光疊層包括有源層,以及該多個(gè)接觸部的面積對(duì)于該有源層的上表面積的比率為0.5~6%。
6.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件,其中該發(fā)光疊層包括第一半導(dǎo)體層,以及該多個(gè)接觸部之間的距離依據(jù)第一半導(dǎo)體層的厚度減少而縮短。
7.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件,其中該多個(gè)接觸層彼此之間分隔。
8.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件,其中該多個(gè)接觸層包括選自銅、鋁、銦、錫、金、鉑、鋅、銀、鈦、鎳、鉛、鈀、鍺、鉻、鎘、鈷、錳、銻、鉍、鎵、鉈、釙、銥、錸、銠、鋨、鎢、鋰、鈉、鉀、鈹、鎂、鈣、鍶、鋇、鋯、鉬、鈉、銀-鈦、銅-錫、銅-鋅、銅-鎘、錫-鉛-銻、錫-鉛-鋅、鎳-錫、鎳-鈷、金合金、鍺-金-鎳、砷化鋁鎵、氮化鎵、磷化鎵、砷化鎵與磷砷化鎵所構(gòu)成的群組的材料。
9.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件,其中該蝕刻阻擋層穿過該透明層。
10.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件,其中該導(dǎo)電層填滿該通孔。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





