[發明專利]多層陶瓷電容器及其制造方法

在審

• 申請號: 201110252683.6
• 申請日: 2011-08-30
• 公開（公告）號: CN102568823A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: 金亨俊;金鐘勛
• 申請（專利權）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H01G4/30
• 分類號: H01G4/30;H01G4/12
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 余剛;吳孟秋

相關申請的引用

本申請要求2010年12月08日在韓國知識產權局提交的韓國專利申請第10-2010-0125069號的優先權，其全部內容結合于此作為參考。

技術領域

本發明涉及一種多層陶瓷電容器及其制造方法，更具體地，涉及一種制造通過確保芯片的耐久性而具有增強的可靠性的多層陶瓷電容器的方法以及由該方法制造的多層陶瓷電容器。

背景技術

電容器，一種能夠儲存電的設備，其主要是通過在相對的電極上施加相反的電壓而將電存儲在其電極上。當將DC電壓施加到電容器的電極時，電流流入電容器，同時電被儲存儲在其中，然而，當電存儲結束時，電流在電容器中不流動。另一方面，當將AC電壓施加到電容器的電極時，AC電流在電容器中持續流動，同時電極的極性交替變化。

根據設置在電極之間的絕緣體的類型，可以將電容器分為：鋁電解電容器(aluminum?electrolytic?condenser)，其中，電極由鋁制成，且在鋁電極之間設置有薄氧化層；鉭電容器(tantalum?condenser)，使用鉭作為電極材料；陶瓷電容器(ceramic?condenser)，在電極之間使用諸如鈦酸鋇的高K電介質；多層陶瓷電容器(MLCC)，使用由高K陶瓷制成的多層結構作為設置在電極之間的電介質；薄膜電容器，使用聚苯乙烯薄膜作為電極之間的電介質；等等。

其中，可以將多層陶瓷電容器實現為具有較小的尺寸而同時具有優良的溫度和頻率特性，從而，多層陶瓷電容器被經常用在各種應用場合，諸如高頻電路等。

在根據現有技術的多層陶瓷電容器中，可以通過層疊多個介電板來形成層壓結構，具有不同極性的外部電極可以形成在該層壓結構的外端，交替層疊在該層壓板中的內部電極可以電連接至每個外部電極。

近來，隨著電子產品變得小型化和高集成化，人們已經頻繁地進行了小型化和高集成化多層陶瓷電容器的研究。具體地，已經進行了改善內部電極之間的連接而同時薄化介電層并增加介電層的層疊數量以實現高電容和小尺寸的多層陶瓷電容器的各種嘗試。

具體地，設置通過各種方法制造的介電層的側部以確保芯片的耐久性，具體地，芯片的邊緣部分是防止芯片發生破裂并確保其可靠性的最重要的部分。

發明內容

本發明的一個方面，提供了一種多層陶瓷電容器及其制造方法，其中，該多層陶瓷電容器能夠確保薄的介電層以實現高層疊和小尺寸的多層陶瓷電容器，并在確保邊緣部分的厚度的同時防止邊緣部分的厚度在不期望的部分過厚。

根據本發明的一個方面，提供了一種多層陶瓷電容器，包括：多層主體，其中層疊了包括第一側、第二側、第三側和第四側的多個介電層；第一覆蓋層和第二覆蓋層，覆蓋多個介電層；第一介電層，設置在第一覆蓋層和第二覆蓋層之間，并印刷有鄰近第一側的第一內部電極圖案；第二介電層，與第一介電層交替層疊，并印刷有鄰近第三側的第二內部電極圖案；以及第一側部和第二側部，每個形成在彼此相對的第二側和第四側上。

第一側部或第二側部可以通過涂敷漿料而形成。

第一側部或第二側部的最大厚度可以設定為10μm至30μm。

第一側部或第二側部的最大厚度可以設定為10μm至20μm。

第一側部或第二側部與多層主體的角部接觸的邊緣部分的厚度可以是2μm以上。

第一覆蓋層或第二覆蓋層的厚度可以是10μm以下。

多層陶瓷電容器還可以包括形成在第一側和第三側上的第一外部電極和第二外部電極。

根據本發明的另一示例性實施方式，提供了一種多層陶瓷電容器的制造方法，包括：制備多層主體，該多層主體包括第一覆蓋層和第二覆蓋層，形成于該第一覆蓋層和第二覆蓋層之間并印刷有第一內部電極圖案的多個第一介電層，與多個第一介電層交替層疊并印刷有第二內部電極圖案的多個第二介電層，以及第一側、第二側、第三側和第四側；將第一薄膜和第二薄膜貼到多層主體的第一覆蓋層和第二覆蓋層；通過將貼有第一薄膜和第二薄膜的多層主體浸入漿料中在第二側和第四側上分別形成第一側部和第二側部；去除貼在多層主體上的第一薄膜和第二薄膜。

第一薄膜或第二薄膜可以是粘性薄膜。

第一薄膜或第二薄膜可以是紫外線(UV)粘性薄膜。

第一側部和第二側部的厚度可以通過調整浸入次數來進行控制。

可以在該第一側和第三側被切除之前將多層主體浸入漿料中。

第一側部或第二側部的最大厚度可以設定為10μm至30μm。

第一側部或第二側部的最大厚度可以設定為10μm至20μm。