[發(fā)明專利]多層陶瓷電容器及其制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110252683.6 | 申請日: | 2011-08-30 |
| 公開(公告)號: | CN102568823A | 公開(公告)日: | 2012-07-11 |
| 發(fā)明(設計)人: | 金亨俊;金鐘勛 | 申請(專利權)人: | 三星電機株式會社 |
| 主分類號: | H01G4/30 | 分類號: | H01G4/30;H01G4/12 |
| 代理公司: | 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240 | 代理人: | 余剛;吳孟秋 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 多層 陶瓷 電容器 及其 制造 方法 | ||
1.一種多層陶瓷電容器,包括:
多層主體,其中層疊了包括第一側、第二側、第三側和第四側的多個介電層;
第一覆蓋層和第二覆蓋層,覆蓋所述多個介電層;
第一介電層,設置在所述第一覆蓋層和所述第二覆蓋層之間,并印刷有鄰近所述第一側的第一內部電極圖案;
第二介電層,與所述第一介電層交替層疊,并印刷有鄰近所述第三側的第二內部電極圖案;
第一側部和第二側部,所述第一側部和所述第二側部各自形成在彼此相對的所述第二側和所述第四側上。
2.根據權利要求1所述的多層陶瓷電容器,其中,所述第一側部或所述第二側部通過涂敷漿料而形成。
3.根據權利要求1所述的多層陶瓷電容器,其中,所述第一側部或所述第二側部的最大厚度被設定為10μm至30μm。
4.根據權利要求1所述的多層陶瓷電容器,其中,所述第一側部或所述第二側部的最大厚度被設定為10μm至20μm。
5.根據權利要求1所述的多層陶瓷電容器,其中,所述第一側部或所述第二側部與所述多層主體的角部接觸的邊緣部分的厚度為2μm以上。
6.根據權利要求1所述的多層陶瓷電容器,其中,所述第一覆蓋層或所述第二覆蓋層的厚度為10μm以下。
7.根據權利要求1所述的多層陶瓷電容器,還包括形成在所述第一側和所述第三側的第一外部電極和第二外部電極。
8.一種多層陶瓷電容器的制造方法,包括:
制備多層主體,所述多層主體包括第一覆蓋層,第二覆蓋層,形成在所述第一覆蓋層和所述第二覆蓋層之間并印刷有第一內部電極圖案的多個第一介電層和與所述多個第一介電層交替層疊并印刷有第二內部電極圖案的多個第二介電層,以及第一側、第二側、第三側和第四側;
在所述多層主體的所述第一覆蓋層和所述第二覆蓋層上貼上第一薄膜和第二薄膜;
通過將貼有所述第一薄膜和所述第二薄膜的所述多層主體浸入漿料中,在所述第二側和所述第四側上分別形成第一側部和第二側部;
去除貼到所述多層主體上的所述第一薄膜和所述第二薄膜。
9.根據權利要求8所述的方法,其中,所述第一薄膜或所述第二薄膜為粘性薄膜。
10.根據權利要求8所述的方法,其中,所述第一薄膜或所述第二薄膜為紫外線(UV)粘性薄膜。
11.根據權利要求8所述的方法,其中,所述第一側部和所述第二側部的厚度通過調整浸入次數來進行控制。
12.根據權利要求8所述的方法,其中,在所述第一側和所述第三側被切除之前,執(zhí)行所述多層主體的浸入。
13.根據權利要求8所述的方法,其中,所述第一側部或所述第二側部的最大厚度為10μm至30μm。
14.根據權利要求8所述的方法,其中,所述第一側部或所述第二側部的最大厚度為10μm至20μm。
15.根據權利要求8所述的方法,其中,所述第一側部或所述第二側部與所述多層主體的角部接觸的邊緣部分的厚度為2μm以上。
16.根據權利要求8所述的方法,其中,所述第一覆蓋層或所述第二覆蓋層的厚度為10μm以下。
17.根據權利要求8所述的方法,還包括在所述第一側和所述第三側上分別形成第一外部電極和第二外部電極。
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