[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件的制造方法、半導(dǎo)體器件及相機(jī)組件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110251738.1
• 申請(qǐng)日: 2011-08-29
• 公開（公告）號(hào): CN102403324A
• 公開（公告）日: 2012-04-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 白野貴士;谷田一真;山口直子;本鄉(xiāng)悟史;松村剛
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社東芝
• 主分類號(hào): H01L27/146
• 分類號(hào): H01L27/146
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 陳萍

相關(guān)申請(qǐng)的參考

本申請(qǐng)享受在2010年9月16日申請(qǐng)的日本專利申請(qǐng)?zhí)?010-208067的優(yōu)先權(quán)的利益，該日本專利申請(qǐng)的全部內(nèi)容被本專利所援引。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體器件的制造方法、半導(dǎo)體器件及相機(jī)組件。

背景技術(shù)

雖然現(xiàn)有的CMOS(Complementary?Metal?Oxide?Semiconductor)圖象傳感器是在硅基板上形成光電二級(jí)管并在其上形成布線，但是，從提高光效率和設(shè)計(jì)的自由度的出發(fā)點(diǎn)看，使光從形成了光電二級(jí)管的一側(cè)的相反面(背面)入射的背面照射型CMOS圖象傳感器已經(jīng)引起注目。

背面照射型CMOS圖象傳感器，為了縮短到達(dá)光電二級(jí)管的距離，有必要通過機(jī)械化學(xué)研磨來薄膜化形成了光電二級(jí)管等的硅基板(以下，被稱作器件基板)。在薄膜化器件基板時(shí)，器件基板單體不能耐受研磨壓力。因此，將支持基板與器件基板貼合之后，薄膜化器件基板。

然而，現(xiàn)有的背面照射型CMOS圖象傳感器，在將支持基板貼合后，估計(jì)將進(jìn)行現(xiàn)有的晶片加工處理。因此，可以容易地想到若支持基板上使用一般的硅基板，則引起基于金屬污染的器件特性劣化。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明是在第1基板的表面、背面及側(cè)面上形成絕緣膜。接著，除去第1基板的表面?zhèn)鹊慕^緣膜，在除去了絕緣膜的第1基板的表面上形成粘接層。然后，間隔著粘接層，將第1基板和第2基板貼合。由此，在工藝處理中，能預(yù)防對(duì)器件的金屬污染。

附圖說明

圖1A～圖1D是示出了與第1實(shí)施方式相關(guān)的半導(dǎo)體器件的制造方法的一個(gè)例子的圖。

圖2是示出了第1實(shí)施方式的與支持基板貼合的器件基板的構(gòu)成例的圖。

圖3是示出了第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體基板的構(gòu)成例的圖。

圖4A～圖4C是示出了與第2實(shí)施方式相關(guān)的半導(dǎo)體器件的制造方法的一個(gè)例子的圖。

圖5是示出了第2實(shí)施方式的支持基板和器件基板的貼合的圖。

圖6是示出了第2實(shí)施方式的半導(dǎo)體基板的構(gòu)成例的圖。

圖7是示出了與第3實(shí)施方式相關(guān)的相機(jī)組件的構(gòu)成例的示意圖。

具體實(shí)施方式

參照下面的附圖，詳細(xì)地說明與實(shí)施方式相關(guān)的半導(dǎo)體器件的制造方法、半導(dǎo)體器件及相機(jī)組件。而且，本發(fā)明并不限定于這些實(shí)施方式。

(第一實(shí)施方式)

圖1A～圖1D是示出了與第1實(shí)施方式相關(guān)的半導(dǎo)體器件的制造方法的一個(gè)例子的圖。本實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件，例如是作為背面照射型CMOS圖像傳感器所使用的半導(dǎo)體器件。在這里，雖然舉例說明作為背面照射型CMOS圖像傳感器所使用的半導(dǎo)體器件，但是只要是由包含將基板和支持基板貼合的工序的制造方法所形成的半導(dǎo)體器件，也可以是背面照射型CMOS圖象傳感器以外的半導(dǎo)體器件。

首先，如圖1A所示，通過CVD法或涂敷法等形成絕緣膜即薄膜2以便覆蓋基板1的全表面(表面、背面及側(cè)面)，進(jìn)一步形成保護(hù)膜3以便覆蓋整個(gè)薄膜2。作為基板1使用什么樣的材質(zhì)的基板都是可以的，例如可以使用硅基板。作為薄膜2，例如可以使用SiO₂膜。保護(hù)膜3是絕緣膜，可以用預(yù)防金屬污染的材質(zhì)形成，例如可以通過將硅烷和氨作為材料的Si₃N₄膜、將C₂H₄和C₃H₈等碳化氫作為材料的SiC膜等來形成。而且，薄膜2、保護(hù)膜3各自的膜厚可以是任何值，例如可以是1nm～100nm的程度。

然后，如圖1B所示，通過干法蝕刻除去保護(hù)膜3的表面?zhèn)然虮趁鎮(zhèn)?在圖1中，成為上側(cè)的面?zhèn)?。而且，保護(hù)膜3的除去不僅限于干法蝕刻，也可以通過濕法蝕刻實(shí)施，或者也可以使用干法蝕刻和濕法蝕刻兩種方法實(shí)施。

進(jìn)一步，如圖1C所示，通過濕法蝕刻除去已除去保護(hù)膜3的面?zhèn)鹊谋∧?，使基板1的表面露出來。而且，薄膜2的除去不僅限于濕法蝕刻，也可以實(shí)施干法蝕刻或通過濕法蝕刻和干法蝕刻兩種方法實(shí)施。但是為了平坦化薄膜2被除去后的基板1的表面，最好通過濕法蝕刻來實(shí)施。

然后，如圖1D所示，通過濕法處理，在露出的基板1的表面上形成自然氧化膜即粘接層4。此時(shí)濕法處理的處理藥液，例如可以使用臭氧水，或膽堿、過氧化氫和水的混合溶液。