[發明專利]半導體器件的制造方法、半導體器件及相機組件

有效

• 申請號: 201110251738.1
• 申請日: 2011-08-29
• 公開（公告）號: CN102403324A
• 公開（公告）日: 2012-04-04
• 發明（設計）人: 白野貴士;谷田一真;山口直子;本鄉悟史;松村剛
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 陳萍

1.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，

在第1基板的表面、背面及側面上形成絕緣膜；

在上述第1基板的表面側形成粘接層；

間隔著上述粘接層，將上述第1基板和第2基板貼合。

2.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，

在第1基板的表面、背面及側面上形成絕緣膜之后，除去上述第1基板的表面側的上述絕緣膜，

在除去了上述絕緣膜的上述第1基板的表面上形成粘接層。

3.如權利要求2所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，

通過在第1基板的表面、背面及側面上形成的薄膜和在上述第1基板的表面、背面及側面的上述薄膜上形成的保護膜，來形成上述絕緣膜。

4.如權利要求3所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，

使上述薄膜為氧化硅膜，使上述保護膜為氮化硅膜或碳化硅膜。

5.如權利要求3所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，

在除去上述絕緣膜的工序中，通過干工序除去上述保護膜，通過濕工序除去上述薄膜。

6.如權利要求3所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，

通過濕工序形成上述粘接層。

7.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，

在上述第1基板的表面側的上述絕緣膜上形成粘接層。

8.如權利要求7所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，

通過在第1基板的表面、背面及側面上形成的薄膜和在上述第1基板的表面、背面及側面的上述薄膜上形成的保護膜，來形成上述絕緣膜。

9.如權利要求8所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，

使上述薄膜為氧化硅膜，使上述保護膜為氮化硅膜或碳化硅膜。

10.如權利要求7所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，

在上述絕緣膜上形成粘接層后，研磨上述粘接層，在研磨上述粘接層之后，間隔著上述粘接層將上述第1基板和第2基板貼合。

11.一種半導體器件，其特征在于，具備：

第1基板；

絕緣膜，形成在上述第1基板上；

粘接層，形成在上述絕緣膜上；以及

第2基板，間隔著上述粘接層與上述第1基板粘接。

12.如權利要求11所述的半導體器件，其特征在于，

上述絕緣膜形成在上述第1基板的形成了上述粘接層的面的相反側的面上。

13.如權利要求11所述的半導體器件，其特征在于，

上述絕緣膜形成在上述第1基板的背面及表面上。

14.如權利要求11所述的半導體器件，其特征在于，

上述絕緣膜具備在第1基板上形成的薄膜和在上述薄膜上形成的保護膜。

15.如權利要求12所述的半導體器件，其特征在于，

使上述薄膜為氧化硅膜，使上述保護膜為氮化硅膜或碳化硅膜。

16.一種相機組件，具有具備攝像元件的半導體器件和使來自外部的光入射至上述攝像元件的鏡頭組件，上述相機組件的特征在于，

上述半導體器件具備：

第1基板；

絕緣膜，形成在上述第1基板上；

粘接層，形成在上述絕緣膜上；以及

第2基板，間隔著上述粘接層與上述第1基板粘接。

17.如權利要求16所述的相機組件，其特征在于，

上述絕緣膜形成在上述第1基板的形成了上述粘接層的面的相反側的面上

18.如權利要求16所述的相機組件，其特征在于，

上述絕緣膜形成在上述第1基板的背面及表面上。

19.如權利要求16所述的相機組件，其特征在于，

上述絕緣膜具備在第1基板上形成的薄膜和在上述薄膜上形成的保護膜。

20.如權利要求19所述的相機組件，其特征在于，

使上述薄膜為氧化硅膜，使上述保護膜為氮化硅膜或碳化硅膜。