[發明專利]以非NVM區內的同時蝕刻來圖形化非易失性存儲器的柵極疊層

有效

• 申請號: 201110251644.4
• 申請日: 2011-08-30
• 公開（公告）號: CN102386142A
• 公開（公告）日: 2012-03-21
• 發明（設計）人: M·D·施羅夫
• 申請（專利權）人: 飛思卡爾半導體公司
• 主分類號: H01L21/8247
• 分類號: H01L21/8247;H01L21/28
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 秦晨

1.一種用于在半導體襯底之上形成非易失性存儲器(NVM)的柵極疊層的方法，所述半導體襯底具有NVM區和不與所述NVM區重疊的非NVM區，所述方法包括以下步驟：

在所述NVM區和所述非NVM區內的所述襯底之上形成選擇柵極層；

同時地蝕刻所述NVM區內的所述選擇柵極層和所述非NVM區內的所述選擇柵極層，其中對所述NVM區內的所述選擇柵極層的所述蝕刻產生所述選擇柵極層的保留于所述NVM區內的第一部分；

在所述NVM區和所述非NVM區內的所述襯底之上形成電荷存儲層，其中所述電荷存儲層形成于所述選擇柵極層的所述第一部分之上；

在所述NVM區和所述非NVM區內的所述電荷存儲層之上形成控制柵極層；

同時地蝕刻在所述NVM區和所述非NVM區內的所述控制柵極層；

同時地蝕刻在所述NVM區和所述非NVM區內的所述電荷存儲層，其中對所述NVM區內的所述選擇柵極層的所述蝕刻產生所述電荷存儲層的在所述選擇柵極層的所述第一部分之上并疊蓋所述選擇柵極層的所述第一部分的側壁的部分，并且產生所述控制柵極層的在所述電荷存儲層的所述部分之上的部分；以及

使用所述選擇柵極層的所述第一部分、所述電荷存儲層的所述部分和所述控制柵極層的所述部分來形成分裂柵極器件。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述非NVM區內的所述選擇柵極層形成于鋪砌部件之上。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述非NVM區內的所述選擇柵極層形成于有源電路部件之上。

4.根據權利要求1所述的方法，其中蝕刻所述非NVM區內的所述選擇柵極層的步驟產生所述選擇柵極層的保留于所述非NVM區內的第二部分。

5.根據權利要求4所述的方法，其中所述第二部分的特征還在于是偽部件。

6.根據權利要求5所述的方法，其中蝕刻所述非NVM區內的所述電荷存儲層和所述控制柵極層的步驟被執行使得所述偽部件的頂表面被暴露。

7.根據權利要求4所述的方法，其中所述第二部分的特征還在于是有源電路部件。

8.根據權利要求1所述的方法，其中同時地蝕刻所述NVM區內的所述選擇柵極層和所述非NVM區內的所述選擇柵極層的步驟被執行使得所述選擇柵極完全從所述非NVM區去除。

9.根據權利要求1所述的方法，其中所述半導體襯底包括邏輯區，并且其中：

形成所述選擇柵極層的步驟被執行使得所述選擇柵極層形成于所述邏輯區內的所述襯底之上，

形成所述電荷存儲層的步驟被執行使得所述電荷存儲層形成于所述邏輯區內的所述選擇柵極層之上，以及

形成所述控制柵極層的步驟被執行使得所述控制柵極層形成于所述邏輯區內的所述電荷存儲層之上。

10.根據權利要求9所述的方法，其中同時地蝕刻所述NVM區內的所述選擇柵極層和所述非NVM區內的所述選擇柵極層的步驟不蝕刻在所述邏輯區內的所述選擇柵極層。

11.根據權利要求10所述的方法，其中：

同時地蝕刻所述控制柵極層的步驟被執行使得所述控制柵極層從所述邏輯區去除，以及

同時地蝕刻所述電荷存儲層的步驟被執行使得所述電荷存儲層從所述邏輯區去除。

12.根據權利要求11所述的方法，其中在所述同時地蝕刻所述電荷存儲層的步驟之后，圖形化所述邏輯區內的所述選擇柵極層以形成邏輯器件柵極。