[發明專利]影像感測晶片封裝體及其形成方法有效
| 申請號: | 201110250951.0 | 申請日: | 2011-08-26 |
| 公開(公告)號: | CN102386197A | 公開(公告)日: | 2012-03-21 |
| 發明(設計)人: | 黃玉龍;洪子翔;何彥仕 | 申請(專利權)人: | 精材科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 影像 晶片 封裝 及其 形成 方法 | ||
1.一種影像感測晶片封裝體的形成方法,其特征在于,包括:
提供一基底,該基底定義有多個預定切割道,所述預定切割道于該基底劃分出多個元件區,所述元件區中分別形成有至少一元件;
將一支撐基板設置于該基底的一第一表面上;
于該支撐基板與該基底之間形成至少一間隔層,該間隔層與所述預定切割道重疊;
于該基底的一第二表面上形成一封裝層;
于該基底的該第二表面上形成多個導電結構,所述導電結構分別電性連接至所述元件區中對應的元件;以及
進行一切割制程,該切割制程包括沿著所述預定切割道切割該支撐基板、該間隔層及該基底,使該支撐基板自該基底脫離,并使該基底分離成多個彼此分離的影像感測晶片封裝體。
2.根據權利要求1所述的影像感測晶片封裝體的形成方法,其特征在于,所述預定切割道包括多個平行于一第一方向的第一方向預定切割道及多個平行于一第二方向的第二方向預定切割道,其中該第一方向垂直于該第二方向。
3.根據權利要求2所述的影像感測晶片封裝體的形成方法,其特征在于,該切割制程還包括:
沿著所述第一方向預定切割道自該支撐基板的一表面切割移除部分的該支撐基板及覆蓋于所述第一方向預定切割道上的部分的間隔層;
在切割移除部分的該支撐基板之后,于該支撐基板的該表面上形成一第一固定層;以及
沿著所述第二方向預定切割道自該支撐基板的該表面切割移除部分的該第一固定層、部分的該支撐基板及覆蓋于所述第二方向預定切割道上的部分的間隔層,使得該支撐基板及該第一固定層自該基底脫離。
4.根據權利要求3所述的影像感測晶片封裝體的形成方法,其特征在于,還包括在進行該切割制程之前,于該支撐基板的該表面上形成一第二固定層。
5.根據權利要求3所述的影像感測晶片封裝體的形成方法,其特征在于,還包括在進行該切割制程之前,于該基底的該第二表面上設置一第二支撐基板。
6.根據權利要求5所述的影像感測晶片封裝體的形成方法,其特征在于,在使得該支撐基板及該第一固定層自該基底脫離之后,還包括自該基底的該第一表面沿著所述第一方向預定切割道及所述第二方向預定切道切割移除部分的該基底而使該基底分離成多個彼此分離的影像感測晶片封裝體。
7.根據權利要求6所述的影像感測晶片封裝體的形成方法,其特征在于,還包括移除該第二支撐基板。
8.根據權利要求7所述的影像感測晶片封裝體的形成方法,其特征在于,在移除該第二支撐基板之前,還包括于分離的所述影像感測晶片封裝體之上貼覆一薄膜框載體。
9.根據權利要求1所述的影像感測晶片封裝體的形成方法,其特征在于,在形成所述導電結構之前,還包括自該基底的該第二表面將該基底薄化至一預定厚度。
10.根據權利要求1所述的影像感測晶片封裝體的形成方法,其特征在于,還包括于該基底中形成多個穿基底導電結構,所述穿基底導電結構分別電性連接對應的所述元件與對應的所述導電結構。
11.根據權利要求1所述的影像感測晶片封裝體的形成方法,其特征在于,還包括分別于所述元件區中的所述元件上設置一光學構件。
12.一種影像感測晶片封裝體,其特征在于,包括:
一影像感測晶片,具有一上表面及一下表面,且具有一感光元件,設置于該上表面處;
一光學構件,設置于該感光元件之上,該光學構件具有一受光表面;
一導電層,自該影像感測晶片的該下表面朝該上表面延伸,且電性連接該感光元件;以及
一封裝層,形成于該影像感測晶片的該下表面及該導電層之上,其中該受光表面至該封裝層的一底表面的一最短距離不大于130微米。
13.根據權利要求12所述的影像感測晶片封裝體,其特征在于,該光學構件的該受光表面上不包括支撐基板。
14.根據權利要求12所述的影像感測晶片封裝體,其特征在于,該光學構件包括一微鏡片。
15.根據權利要求12所述的影像感測晶片封裝體,其特征在于,還包括至少一焊球,該焊球設置于該影像感測晶片的該下表面之上,且電性連接該導電層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





