[發(fā)明專利]一種后柵極單晶體管動態(tài)隨機存儲器的制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110250287.X
• 申請日: 2011-08-29
• 公開（公告）號: CN102569091A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發(fā)明（設計）人: 黃曉櫓;顏丙勇;陳玉文
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/8242
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司 31213
• 代理人: 王敏杰

1.一種后柵極單晶體管動態(tài)隨機存儲器的制備方法，在一硅基板中形成有通過后柵極工藝制成的包含一晶體管的后柵極高介電常數(shù)MOS結(jié)構(gòu)，晶體管的漏極和源極分別與晶體管柵槽存在疊加區(qū)域，其特征在于，包括以下步驟：

步驟a：進行濕法刻蝕，將上述晶體管器件的晶體管柵槽內(nèi)的樣本柵去除，在刻蝕的過程中，保留晶體管柵槽底部的薄氧化層；

????步驟b：晶體管柵槽內(nèi)的傾斜一定的角度進行傾斜離子注入，使得晶體管柵槽下方的擴散區(qū)域反型為與該晶體管的阱區(qū)相同的摻雜類型。

2.如權(quán)利要求1所述的后柵極單晶體管動態(tài)隨機存儲器的制備方法，其特征在于，晶體管設置為：源極為N+型，漏極為N+型，阱區(qū)為P型。

3.如權(quán)利要求1所述的后柵極單晶體管動態(tài)隨機存儲器的制備方法，其特征在于，步驟b離子注入方向是靠近晶體管漏極一側(cè)的的角度傾斜離子注入。

4.如權(quán)利要求3所述的后柵極單晶體管動態(tài)隨機存儲器的制備方法，其特征在于，注入離子使得晶體管的柵下端的漏極擴散區(qū)域反型為P型。

5.如權(quán)利要求1-4任何一項權(quán)利要求所述的后柵極單晶體管動態(tài)隨機存儲器的制備方法，所述注入離子為B離子或者BF離子或者BF2離子。

6.如權(quán)利要求1所述的后柵極單晶體管動態(tài)隨機存儲器的制備方法，其特征在于，步驟b離子注入為傾斜一定的角度雙向?qū)ΨQ傾斜離子注入，一個方向為晶體管柵槽內(nèi)的靠近晶體管源極一側(cè)的的角度傾斜離子注入，另一方向為晶體管柵槽內(nèi)的靠近晶體管漏極一側(cè)的的角度傾斜離子注入，注入離子使得晶體管的柵下端的源漏擴散區(qū)域反型為P型。

7.如權(quán)利要求6所述的后柵極單晶體管動態(tài)隨機存儲器的制備方法，其特征在于，晶體管設置為：源極為N+型，漏極為N+型，阱區(qū)為P型。

8.如權(quán)利要求6所述的后柵極單晶體管動態(tài)隨機存儲器的制備方法，所述注入離子為B離子或者BF離子或者BF2離子。