[發(fā)明專利]晶體管及其形成方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110247769.X
• 申請日: 2011-08-24
• 公開（公告）號: CN102956493A
• 公開（公告）日: 2013-03-06
• 發(fā)明（設計）人: 趙猛
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/311;H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種晶體管的形成方法，其特征在于，包括：提供襯底；在襯底中埋入平行于襯底表面的介質(zhì)條；在所述介質(zhì)條上形成摻雜區(qū)。

2.如權利要求1所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述在襯底中埋入平行于襯底表面的介質(zhì)條的步驟包括：圖形化襯底，形成位于襯底中的開口；在所述開口的底部和側(cè)壁上形成介質(zhì)層；去除開口側(cè)壁上的介質(zhì)層，形成位于開口底部的介質(zhì)條；向所述開口中填充襯底材料直至填滿所述開口。

3.如權利要求2所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述在所述開口的底部和側(cè)壁上形成介質(zhì)層的步驟包括：通過沉積或熱生長的方法形成所述介質(zhì)層。

4.如權利要求2所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述去除開口側(cè)壁上的介質(zhì)層的步驟包括：在開口底部的介質(zhì)層上形成光刻膠圖形，所述光刻膠圖形僅露出開口側(cè)壁上的介質(zhì)層；以所述光刻膠圖形為掩模，通過干刻去除開口側(cè)壁上的介質(zhì)層。

5.如權利要求2所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述去除開口側(cè)壁上的介質(zhì)層的步驟包括：在開口底部的介質(zhì)層上形成光刻膠圖形，所述光刻膠圖形除了露出開口側(cè)壁上的介質(zhì)層，還露出開口底部的部分介質(zhì)層；以所述光刻膠圖形為掩模，通過干刻去除開口側(cè)壁上的介質(zhì)層以及開口底部的部分介質(zhì)層。

6.如權利要求2所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述開口的深度在0.1～0.3微米的范圍內(nèi)。

7.如權利要求1所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述介質(zhì)條的厚度在3～100納米的范圍內(nèi)。

8.一種晶體管，其特征在于，包括：襯底，位于襯底上的柵極結(jié)構(gòu)，形成于襯底中位于柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的摻雜區(qū)，位于摻雜區(qū)和襯底交界面處、與襯底表面平行的介質(zhì)條。

9.如權利要求8所述的晶體管，其特征在于，所述摻雜區(qū)包括分別位于柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的源區(qū)和漏區(qū)，所述介質(zhì)條包括分別位于源區(qū)和襯底交界處的第一介質(zhì)條、漏區(qū)和襯底交界處的第二介質(zhì)條。

10.如權利要求9所述的晶體管，其特征在于，所述第一介質(zhì)條和第二介質(zhì)條的材料包括氧化硅或氮化硅。

11.如權利要求9所述的晶體管，其特征在于，第一介質(zhì)條、第二介質(zhì)條的厚度在3～100納米的范圍內(nèi)。

12.如權利要求9所述的晶體管，其特征在于，第一介質(zhì)條、第二介質(zhì)條之間的距離在15～130納米的范圍內(nèi)。