[發(fā)明專利]一種鍺硅外延層生長(zhǎng)方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110247542.5
• 申請(qǐng)日: 2011-08-24
• 公開（公告）號(hào): CN102956445A
• 公開（公告）日: 2013-03-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 涂火金
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/20
• 分類號(hào): H01L21/20;H01L21/336
• 代理公司: 北京德琦知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018
• 代理人: 牛崢;王麗琴

1.一種鍺硅外延層生長(zhǎng)方法，提供一具有硅襯底的晶片，所述硅襯底中具有PMOS的源極和漏極區(qū)域刻蝕的凹槽，其特征在于，該方法還包括，

所述晶片放入反應(yīng)腔后，所述反應(yīng)腔中通入含鍺元素的反應(yīng)氣體的同時(shí)通入含碳?xì)怏w，在所述源極和漏極區(qū)域的所述凹槽中選擇性外延生長(zhǎng)含碳的鍺硅外延層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述預(yù)處理晶片之后，所述選擇性外延生長(zhǎng)含碳的鍺硅外延層之前，在所述源極和漏極區(qū)域的所述凹槽表面選擇性外延生長(zhǎng)鍺硅種子層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述選擇性外延生長(zhǎng)含碳的鍺硅外延層之后，在所述含碳的鍺硅外延層上生長(zhǎng)硅蓋層或鍺硅蓋層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述含鍺元素的反應(yīng)氣體是硅烷、鍺烷、氯化氫氣體乙和氫氣組成的混合氣體或者二氯硅烷、鍺烷、氯化氫氣體乙和氫氣組成的混合氣體。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述硅烷、二氯硅烷、鍺烷和氯化氫氣體分別的氣體流量范圍是1標(biāo)況毫升每分到1000標(biāo)況毫升每分；氫氣的氣體流量范圍是0.1標(biāo)況升每分到50標(biāo)況升每分。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述含碳?xì)怏w是烷烴、氯代烴和碳氟化合物氣體中的一種或任意組合；所述含碳?xì)怏w的氣體流量范圍是1標(biāo)況毫升每分到1000標(biāo)況毫升每分。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述烷烴是甲烷；所述氯代烴是一氯甲烷、二氯甲烷和四氯甲烷中的一種或任意組合；所述碳氟化合物是四氟化碳。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述反應(yīng)腔中的溫度范圍是600到800攝氏度。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述反應(yīng)腔中的壓強(qiáng)范圍是133.322帕到66.661千帕。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述含碳的鍺硅外延層中碳含量范圍不大于5％。