[發明專利]用于激光劃片的裝置和方法

無效

• 申請號: 201110247497.3
• 申請日: 2011-08-26
• 公開（公告）號: CN102430857A
• 公開（公告）日: 2012-05-02
• 發明（設計）人: 張有成
• 申請（專利權）人: 三星LED株式會社
• 主分類號: B23K26/04
• 分類號: B23K26/04;B23K26/36
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 張波

技術領域

本發明涉及用于激光劃片(laser?scribing)的裝置和方法。

背景技術

制造半導體發光器件的工藝可以分為發光器件制造工藝和發光器件封裝/模塊工藝。發光器件制造工藝可以包括P/N半導體層形成工藝、蝕刻工藝、P/N電極形成工藝、研磨(lapping)工藝和激光劃片工藝，該P/N半導體層形成工藝包括在用于制造發光器件的基板上外延生長有源層。

激光劃片工藝通過激光劃片裝置執行，并相應于將執行了研磨工藝的基板分離為單獨芯片的工藝。

在執行激光劃片工藝之前，激光劃片裝置可以測量基板的厚度。激光劃片裝置可以通過基于所測量的厚度調節激光發射高度而發射激光到基板上。

通常，激光劃片裝置可以通過朝第一軸向(例如，基板的水平軸)發射激光來測量基板的厚度，并可以通過朝該第一軸向發射激光來產生劃片線。

激光劃片裝置可以通過朝垂直于第一軸向的第二軸向(例如，基板的垂直軸)發射激光來測量基板的厚度，并可以通過朝該第二軸向發射激光而產生劃片線。如上所述，常規的激光劃片裝置可以通過朝基板的第一軸向和第二軸向的每個發射激光而測量厚度，因此，激光劃片工藝的處理時間會增加。當處理時間增加時，在預定量的時間內，與激光劃片工藝相應的基板的數量會減少，降低了生產率。

此外，常規的激光劃片裝置可以產生沿基板的第一軸向的劃片線，然后測量關于第二軸向的厚度。因此，當測量基板關于第二軸向的厚度時，可能由于在第一軸向上產生的劃片線而產生測量誤差，使得難以精確地測量厚度。

發明內容

本發明的一方面提供一種用于激光劃片的方法和裝置，其可以通過朝形成有多個發光器件的基板的第一軸向發射激光而測量厚度，并且可以通過關于第一軸向和垂直于第一軸向的第二軸向應用所測量的厚度而在基板上執行激光劃片。

根據本發明的一方面，提供一種用于激光劃片的裝置，該激光劃片裝置包括：第一激光發射器，在朝形成有多個發光器件的基板的第一軸向移動的同時發射用于厚度測量的激光；激光接收器，當從第一激光發射器發射的激光從基板反射時接收被反射的激光；厚度測量單元，基于被激光接收器所接收的激光的強度測量基板的厚度；以及第二激光發射器，通過朝基板的第一軸向和第二軸向發射激光同時基于所測量的厚度調節激光發射位置而在基板上產生劃片線。

激光劃片裝置還可以包括反射構件，該反射構件設置在第一激光發射器下方以使從第一激光發射器發射的激光通過，并把從基板反射的激光反射到一個方向。

第二激光發射器可以朝基板的第一軸向發射激光，以在基板的第一軸向產生劃片線，同時通過基于所測量的厚度改變與基板的距離來調節激光發射位置。

第二激光發射器可以朝基板的第二軸向發射激光，以在基板的第二軸向產生劃片線，同時通過基于所測量的厚度改變與基板的距離來調節激光發射位置。

根據本發明的另一方面，提供一種用于激光劃片的方法，該方法包括：使第一激光發射器在朝形成有多個發光器件的基板的第一軸向移動的同時發射用于厚度測量的激光；當從第一激光發射器發射的激光從基板反射時，用激光接收器接收被反射的激光；基于被激光接收器接收的激光的強度測量基板的厚度；以及通過朝基板的第一軸向和第二軸向發射激光同時基于所測量的厚度調節激光發射位置而在基板上產生劃片線。

產生劃片線可以包括：朝基板的第一軸向發射激光以在基板的第一軸向產生劃片線，同時通過基于所測量的厚度改變與基板的距離來調節激光發射位置；以及朝基板的第二軸向發射激光以在基板的第二軸向產生劃片線，同時通過基于所測量的厚度改變與基板的距離來調節激光發射位置。

附圖說明

通過以下結合附圖對示范性實施方式的描述，本發明的這些和/或其他的方面、特征和優點將變得明顯且更易于理解，在附圖中：

圖1是示出根據本發明的實施方式的激光劃片裝置的構造的方框圖；

圖2是描述根據本發明的實施方式的基板的激光劃片工藝的示意圖；和

圖3是示出根據本發明的實施方式的激光劃片方法的流程圖。

具體實施方式

現在將詳細參照本發明的示范性實施方式，其示例在附圖中示出，其中相似的附圖標記始終指代相似的元件。下面通過參照附圖描述示范性實施方式以解釋本發明。