[發明專利]包括互連級的集成電路

無效

• 申請號: 201110246308.0
• 申請日: 2011-08-24
• 公開（公告）號: CN102376710A
• 公開（公告）日: 2012-03-14
• 發明（設計）人: B.芬克;H.吉特勒;G.佐杰爾
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/06
• 分類號: H01L27/06;H01L23/522
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 曲寶壯;盧江

背景技術

在集成電路中，電流典型地經由布線區域內的連接路徑（例如經由接觸通孔電耦合的互連級的連接布線）從諸如電池引腳的外部引腳流入諸如場效應晶體管（FET）的漏極的半導體器件端子。

在半導體功率器件應用中，大電流必須經由互連級從外部引腳引導到半導體器件端子。為了滿足半導體功率器件的可靠性和功耗能力的需求，對于滿足這些需求的互連級設計存在需要。

由于這些和其他原因，需要本發明。

發明內容

根據集成電路的一個實施例，集成電路包括上互連級，該上互連級包括連續上互連區域，該連續上互連區域包括多個上接觸孔。集成電路還包括下互連級，該下互連級包括連續下互連區域，該連續下互連區域包括多個下接觸孔。第一接觸通過下接觸孔延伸到上互連區域且第二接觸通過上接觸孔連接到下互連區域。

根據集成電路的另一實施例，集成電路至少包括第一、第二、第三和第四互連級。第一互連級包括電耦合到半導體基板內形成的半導體器件的第一端子的多個第一互連區域且還包括電耦合到半導體器件的第二端子的多個第二互連區域。第二互連級包括第三互連區域，該第三互連區域包括多個第一孔。第三互連級包括第四互連區域，該第四互連區域包括多個第二孔。第四互連級包括第一接觸區域和第二接觸區域，該第一接觸區域經由第四互連區域和通過第三互連區域中的多個第一孔延伸的第一接觸電耦合到第一互連級的第一互連區域，該第二接觸區域經由第三互連區域和通過第四互連區域中的多個第二孔延伸的第二接觸電耦合到第一互連級的第二互連區域。

當閱讀下面的詳細描述且參考附圖時，本領域技術人員將意識到附加特征和優點。

附圖說明

附圖被包括以提供實施例的進一步理解，附圖結合到本說明書中且構成本說明書的一部分。附圖示出實施例且與說明一起用于解釋實施例的原理。將容易意識到其他實施例和實施例的很多潛在優點，因為通過參考下面的詳細描述，它們將變得更好地理解。附圖的元件不必彼此相對地按比例繪制。相似的參考標號指示相應的類似部分。

從參考附圖的下面的描述將顯見實施例的特征和優點。附圖不必按比例繪制，而是重點強調原理。各種示出的實施例的特征可以以任意方式組合，除非它們彼此排斥。

圖1A說明根據一個實施例的集成電路的上互連級和下互連級的一部分的頂視圖。

圖1B說明圖1A的上互連級的頂視圖。

圖1C說明圖1A的下互連級的頂視圖。

圖1D說明沿著圖1A的線A-A’的剖面圖。

圖1E說明沿著圖1A的線B-B’的剖面圖。

圖2A說明根據另一實施例包括第四互連級的集成電路的一部分的示意性頂視圖。

圖2B說明沿著圖2A的線C-C’的剖面圖。

圖2C說明沿著圖2A的線D-D’的剖面圖。

圖2D說明圖2B中說明的集成電路的一部分的示意性頂視圖。

圖2E說明圖2C中說明的集成電路的一部分的示意性頂視圖。

具體實施方式

圖1A說明根據一個實施例的集成電路100的上互連級105的一部分的頂視圖。上互連級105包括連續上互連區域110。上互連區域110包括其中的多個接觸孔115。

集成電路100還包括通過虛線示意性說明的下互連級125。上互連級105和下互連級125在圖1A的示意性說明中疊加。為了在與上互連級105相關的所示元件和與下互連級125相關的所示元件之間更好地區分，虛線用于說明與下互連級125相關的元件且實線用于說明與上互連級105相關的元件。

下互連級125包括連續下互連區域130。下互連區域130包括在其中形成的多個下接觸孔135。

第一接觸140通過下接觸孔135延伸到上互連區域110。第二接觸145通過上接觸孔115延伸到下互連區域130。

根據一個實施例，第一接觸140中的每一個與下互連區域130電絕緣且包括由下互連級125的材料形成的一部分。同樣，第二接觸145中的每一個與上互連區域110電絕緣且包括由上互連級105的材料形成的一部分。

根據一個實施例，第二接觸145中的每一個電耦合到布置在上互連級105上方的接觸區域，接觸區域的厚度至少是下互連級125（圖1A中未示出）的厚度的5至30倍。作為示例，接觸區域可以通過對諸如Cu層的功率金屬化層進行構圖形成。

當在此使用時，術語“電耦合”并不意味著元件必須直接耦合在一起而是可以在“電耦合”元件之間提供居間元件。