[發明專利]一種高壓驅動電路的隔離結構

有效

• 申請號: 201110242932.3
• 申請日: 2011-08-23
• 公開（公告）號: CN102306656A
• 公開（公告）日: 2012-01-04
• 發明（設計）人: 時龍興;錢欽松;孫偉鋒;祝靖;黃賢國;陸生禮
• 申請（專利權）人: 東南大學
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/78
• 代理公司: 南京天翼專利代理有限責任公司 32112
• 代理人: 湯志武

1.一種高壓驅動電路的隔離結構，包括：P型襯底（1），在P型襯底（1）上設有P型外延層（2），在P型外延層（2）上設有低壓區（130）和高壓區（110），在低壓區（130）與高壓區（110）之間設有高低壓結終端區（120），在高低壓結終端區（120）與低壓區（130）之間為第一P型結隔離區（140a），所述的第一P型結隔離區（140a）由P型埋層（4）及第一P型阱區（71）組成，在第一P型結隔離區（140a）的內部區域設有第二P型結隔離區（140b）且第二P型結隔離區（140b）與第一P型結隔離區（140a）圍合形成被隔離區域，在被隔離區域內設有利用高低壓結終端區（120）作為漂移區的高壓絕緣柵場效應管（150），所述高壓區（110）的一部分位于被隔離區域內，位于被隔離區域內的部分高壓區（110）包括設在P型襯底（1）內的第一深N型阱（31）和設在P型外延層（2）內的第一N-型阱區（61），且N-型阱區（61）位于第一深N型阱（31）的上表面上，位于被隔離區域外的部分高壓區（110）包括設在P型襯底（1）內的第二深N型阱（32）和設在P型外延層（2）內的第二N-型阱區（62），且N-型阱區（62）位于第二深N型阱（32）的上表面上，所述的第一深N型阱（31）向高低壓結終端區（120）延伸并進入高低壓結終端區（120），所述的第二深N型阱（32）向高低壓結終端區（120）延伸并進入高低壓結終端區（120），其特征在于，第二P型結隔離區（140b）為設在P型外延層（2）內的第二P型阱區（72）且第二P型阱區（72）設在P型襯底（1）表面上，在位于高低壓結終端區（120）區域內的第二P型結隔離區（140b）部分區域的第二P型阱區（72）被N型阱區（5）替代，且N型阱區（5）位于P型外延（2）上并被第二P型阱區（72）包圍，第二P型結隔離區（140b）的單位面積中的N型阱區（5）的注入面積沿高壓區（110）指向低壓區（130）的方向逐漸增大。

2.根據權利要求1所述的高壓驅動電路的隔離結構，其特征在于，N型阱區（5）的注入窗口為成行且間隔排列的矩形。

3.根據權利要求1所述的高壓驅動電路的隔離結構，其特征在于，N型阱區（5）的注入窗口為成行且連續排列的矩形。

4.根據權利要求1所述的高壓驅動電路的隔離結構，其特征在于，N型阱區（5）的注入窗口為三角形。

5.根據權利要求1所述的高壓驅動電路的隔離結構，其特征在于，N型阱區（5）的注入窗口為成行且間隔排列的圓形。