[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置及其制造方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110242892.2
• 申請(qǐng)日: 2011-08-23
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102386215A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-03-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 石井裕二;指宿勇二;田中秀樹(shù);葛西憲太郎
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 索尼公司
• 主分類號(hào): H01L29/10
• 分類號(hào): H01L29/10;H01L29/786;H01L21/336
• 代理公司: 北京信慧永光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11290
• 代理人: 褚海英;武玉琴

1.一種半導(dǎo)體裝置，該裝置包括形成于半導(dǎo)體基板上的第一晶體管和隔著絕緣層而形成于所述半導(dǎo)體基板上方的第二晶體管，其中，

所述第一晶體管包括：

第一主體區(qū)，其形成于所述半導(dǎo)體基板的表面上；以及

第一源極區(qū)和第一漏極區(qū)，它們形成為夾著所述第一主體區(qū)，所述第二晶體管包括：

半導(dǎo)體層，其形成于所述絕緣層上；

第二主體區(qū)，其形成于所述半導(dǎo)體層的一部分中；

第二源極區(qū)和第二漏極區(qū)，它們形成為夾著所述半導(dǎo)體層中的所述第二主體區(qū)；

柵極絕緣膜，其形成于所述半導(dǎo)體層的所述主體區(qū)上；以及

柵極，其形成于所述柵極絕緣膜上，

所述第二漏極區(qū)布置在所述第一主體區(qū)上，

所述第二主體區(qū)布置在所述第一漏極區(qū)上，

在所述絕緣層的位于所述第一漏極區(qū)和所述第二主體區(qū)之間的部分中形成有連接層，并且

所述第二漏極區(qū)還用作所述第一晶體管的柵極。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述第一源極區(qū)接地；并且對(duì)所述第二漏極區(qū)施加有預(yù)定電壓以使所述第二晶體管導(dǎo)通，并且所述第二主體區(qū)經(jīng)由作為溝道的所述第一主體區(qū)而接地。

3.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，該方法包括：

以雜質(zhì)對(duì)半導(dǎo)體基板的表面區(qū)域進(jìn)行摻雜而形成第一源極區(qū)和第一漏極區(qū)；

在所述半導(dǎo)體基板上形成絕緣層；

去除所述第一漏極區(qū)上的所述絕緣層以形成連接槽；

以金屬膜填充所述連接槽以形成連接層；

在所述絕緣層上形成半導(dǎo)體層；

在所述半導(dǎo)體層中，在所述連接層上方的區(qū)域的兩側(cè)形成第二源極區(qū)和第二漏極區(qū)；

在所述連接層上方的所述半導(dǎo)體層上形成柵極絕緣膜；并且

在所述柵極絕緣膜上形成柵極，其中，

所述第二漏極區(qū)布置在所述第一源極區(qū)和所述第一漏極區(qū)之間的區(qū)域上，以便形成第一晶體管和第二晶體管，所述第二晶體管的所述第二漏極區(qū)還用作所述第一晶體管的柵極。