[發明專利]基板處理方法以及基板處理裝置有效
| 申請號: | 201110242631.0 | 申請日: | 2011-08-19 |
| 公開(公告)號: | CN102376540A | 公開(公告)日: | 2012-03-14 |
| 發明(設計)人: | 基村雅洋;小路丸友則;江本哲也;奧谷學;尾辻正幸 | 申請(專利權)人: | 大日本網屏制造株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司: | 隆天國際知識產權代理有限公司 72003 | 代理人: | 宋曉寶;郭曉東 |
| 地址: | 日本國京*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 方法 以及 裝置 | ||
技術領域
本發明涉及處理基板的基板處理方法以及基板處理裝置。成為處理對象的基板例如包括半導體晶片、液晶顯示裝置用基板、等離子顯示器用基板、FED(Field?Emission?Display:場致發射顯示器)用基板、光盤用基板、磁盤用基板、光磁盤用基板、光掩模用基板、陶瓷基板、太陽能電池用基板等。
背景技術
在制造半導體裝置或液晶顯示裝置的工序中,例如逐張處理半導體晶片或液晶顯示裝置用玻璃基板等基板。具體地說,通過向基板上供給藥液,利用藥液處理基板的表面。然后,通過向基板上供給純水,來沖洗基板上附著的藥液。藥液被沖洗掉之后,向基板上供給沸點比水的沸點低的IPA(異丙醇),在基板上附著的純水被置換為IPA。然后,通過使基板高速旋轉,從基板除去附著在基板上的IPA,以干燥基板。
但是,在這樣的基板處理方法中存在如下情況,即,在使基板干燥時,形成在基板的表面上的圖案會倒塌。因此,在美國專利公報2010/0240219A1中公開了為了防止圖案倒塌,而在使基板的表面疏水化之后進行干燥的方法。具體地說,通過向基板上供給疏水劑,使基板的表面疏水化。然后,向基板上供給IPA,在基板上附著的疏水劑被置換為IPA。在疏水劑置換為IPA之后,向基板上供給純水,從而在基板上附著的IPA被置換為純水。然后,通過使基板高速旋轉,來干燥基板。
如果使基板的表面充分疏水化,則能夠抑制圖案的倒塌。但是,在基板的表面未被充分疏水化的情況下,不能抑制圖案的倒塌。即,在基板的表面僅局部地被疏水化的情況,或者處理液與基板的接觸角不足夠大的情況下,即使在將基板疏水化之后使基板干燥,也不能夠抑制圖案的倒塌。
如美國專利公報2010/0240219A1記載的基板處理方法那樣,在向基板供給一種疏水劑的情況下,基板的表面往往不能夠被充分疏水化。另外,若基板上附著的處理液的表面張力大,則在使該基板干燥時,作用于圖案的力也大。在美國專利公報2010/0240219A1記載的基板處理方法中,使附著有純水的基板干燥。但是,因為純水的表面張力大,所以即使使基板疏水化,也不能充分抑制圖案的倒塌。
另一方面,即使向形成有金屬膜的基板供給作為疏水劑的硅烷化劑(Silylation?Agent),因為不能使金屬膜疏水化,所以也不能使基板充分疏水化。但是,如果向基板供給使金屬疏水化的金屬類的疏水劑,則即使在基板上形成有金屬膜的情況下,也能夠使該金屬膜疏水化。但是,根據本申請的發明人的研究,已知即使在使用了金屬類的疏水劑的情況下,有時也不能使基板充分疏水化。
具體地說,金屬類的疏水劑本身不穩定,因而需要在金屬類的疏水劑中混合其他的溶劑(稀釋溶劑)。但是,若在金屬類的疏水劑中混合含有羥基的溶劑,則會導致金屬類的疏水劑的能力(使基板疏水化的能力)降低。也就是說,在金屬類的疏水劑中混合有含有羥基的溶劑或者向保持含有羥基的溶劑的基板上供給了金屬類的疏水劑的情況下,不能充分地發揮金屬類的疏水劑的能力。
而且,即使通過金屬類的疏水劑使基板疏水化,若在供給了金屬類的疏水劑之后向基板供給含有水的液體或蒸汽,則處理液與基板的接觸角變小。因此,在干燥基板時,作用于圖案的力(使圖案倒塌的力)變大。而且,在基板的表面保持有水的狀態下,向該基板的表面供給金屬類的疏水劑,基板也不能充分疏水化。即,本申請發明人發現:即使向形成有金屬膜的基板供給金屬類的疏水劑,在存在水的情況下也不能使金屬膜充分疏水化。
發明內容
因此,本發明的目的在于提供能夠抑制或防止圖案的倒塌的基板處理方法以及基板處理裝置。
本發明的一個實施方式提供一種基板處理方法,該基板處理方法包括:將疏水劑供給至基板來使所述基板的表面疏水化的疏水化工序;在所述疏水化工序之后進行,使所述基板干燥的干燥工序;從所述疏水化工序結束之后到所述干燥工序結束為止,將所述基板保持為不與水接觸的狀態的工序。
基板的表面是基板本身的表面,在基板的表面形成有圖案的情況下,還包括圖案的表面。
根據該方法,向基板供給疏水劑,該基板的表面被疏水化。然后,使基板干燥。作為處理對象的基板從被疏水化之后到干燥為止保持不與水接觸的狀態。因而,能夠防止在疏水劑供給至基板之后,因接觸水而使基板的疏水性大幅降低。由此,能夠抑制或防止圖案的倒塌。
作為處理對象的基板可以是含有金屬膜的基板,也可以是不含金屬膜的基板。
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





