[發(fā)明專利]基板處理方法以及基板處理裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110242631.0 | 申請(qǐng)日: | 2011-08-19 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102376540A | 公開(公告)日: | 2012-03-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 基村雅洋;小路丸友則;江本哲也;奧谷學(xué);尾辻正幸 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 大日本網(wǎng)屏制造株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L21/02 | 分類號(hào): | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司: | 隆天國(guó)際知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003 | 代理人: | 宋曉寶;郭曉東 |
| 地址: | 日本國(guó)京*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 處理 方法 以及 裝置 | ||
1.一種基板處理方法,其特征在于,包括:
將疏水劑供給至基板來使所述基板的表面疏水化的疏水化工序;
在所述疏水化工序之后進(jìn)行來使所述基板干燥的干燥工序;
從所述疏水化工序結(jié)束之后到所述干燥工序結(jié)束為止,將所述基板保持為不與水接觸的狀態(tài)的工序。
2.如權(quán)利要求1所述的基板處理方法,其特征在于,所述基板是具有金屬膜的基板。
3.如權(quán)利要求1或2所述的基板處理方法,其特征在于,所述疏水化工序包括將所述疏水劑的液體供給至所述基板的工序,
所述基板處理方法還包括干燥前清洗工序,該干燥前清洗工序在所述疏水化工序之后且在所述干燥工序之前進(jìn)行,將能夠使所述疏水劑溶解且表面張力比水的表面張力小的溶劑供給至所述基板。
4.如權(quán)利要求1或2所述的基板處理方法,其特征在于,所述疏水化工序包括將所述疏水劑的蒸汽供給至所述基板的蒸汽供給工序,
所述干燥工序包括使在所述基板上附著的所述疏水劑蒸發(fā)的蒸發(fā)工序。
5.一種基板處理裝置,其特征在于,具有:
基板保持單元,用于保持基板;
疏水劑供給單元,用于向保持于所述基板保持單元上的基板供給疏水劑;
干燥單元,用于使基板干燥;
控制裝置,所述控制裝置通過控制所述疏水劑供給單元,進(jìn)行將疏水劑供給至保持于所述基板保持單元上的基板來使所述基板的表面疏水化的疏水化工序;所述控制裝置通過控制所述干燥單元,在所述疏水化工序之后,進(jìn)行使所述基板干燥的干燥工序;所述控制裝置從所述疏水化工序結(jié)束之后到所述干燥工序結(jié)束為止,進(jìn)行將所述基板保持為不與水接觸的狀態(tài)的工序。
6.如權(quán)利要求5所述的基板處理裝置,其特征在于,
還包括溶劑供給單元,該溶劑供給單元向保持于所述基板保持單元上的基板供給能夠使所述疏水劑溶解且表面張力比水的表面張力小的溶劑,
所述疏水劑供給單元包括向保持于所述基板保持單元上的基板供給所述疏水劑的液體的單元,
所述控制裝置通過控制所述疏水劑供給單元進(jìn)行所述疏水化工序,所述疏水化工序包括向保持于所述基板保持單元上的基板供給所述疏水劑的液體的工序;所述控制裝置通過控制所述溶劑供給單元,在所述疏水化工序之后且所述干燥工序之前,進(jìn)行向保持于所述基板保持單元上的基板供給所述溶劑的干燥前清洗工序。
7.如權(quán)利要求5所述的基板處理裝置,其特征在于,所述疏水劑供給單元包括向保持于所述基板保持單元上的基板供給所述疏水劑的蒸汽的單元,
所述控制裝置通過控制所述疏水劑供給單元進(jìn)行所述疏水化工序,所述疏水化工序包括向保持于所述基板保持單元上的基板供給所述疏水劑的蒸汽的蒸汽供給工序;所述控制裝置通過控制所述干燥單元進(jìn)行所述干燥工序,,所述干燥工序包括使在保持于所述基板保持單元上的基板上附著的所述疏水劑蒸發(fā)的蒸發(fā)工序。
8.一種基板處理方法,處理形成有金屬膜的基板,其特征在于,包括:
清洗液供給工序,將含有水的清洗液供給至基板;
第一溶劑供給工序,在所述清洗液供給工序之后進(jìn)行,通過將不含羥基的第一溶劑供給至基板,來將在基板上保持的液體置換為第一溶劑;
疏水劑供給工序,在所述第一溶劑供給工序之后進(jìn)行,通過將含有第二溶劑且用于使金屬疏水化的疏水劑供給至基板,來將在基板上保持的液體置換為疏水劑,其中,所述第二溶劑不含羥基。
9.如權(quán)利要求8所述的基板處理方法,其特征在于,還包括水溶性溶劑供給工序,該水溶性溶劑供給工序在所述清洗液供給工序之后且所述第一溶劑供給工序之前進(jìn)行,通過將水溶性溶劑供給至基板,來將在基板上保持的液體置換為水溶性溶劑,所述水溶性溶劑對(duì)水的溶解度高于第一溶劑對(duì)水的溶解度。
10.如權(quán)利要求8或9所述的基板處理方法,其特征在于,所述第一溶劑供給工序包括物理置換工序,在該物理置換工序中,通過將施加有物理力的第一溶劑供給至基板,來將在基板上保持的液體置換為第一溶劑。
11.如權(quán)利要求10所述的基板處理方法,其特征在于,所述第一溶劑供給工序還包括置換工序,該置換工序在所述物理置換工序之前進(jìn)行,通過將第一溶劑供給至基板,來將在基板上保持的液體置換為第一溶劑。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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