[發(fā)明專利]TFT陣列的結(jié)構(gòu)及制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110239955.9
• 申請(qǐng)日: 2011-08-19
• 公開（公告）號(hào): CN102332452A
• 公開（公告）日: 2012-01-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張維宏;賀成明
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/02
• 分類號(hào): H01L27/02;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1345
• 代理公司: 深圳市世紀(jì)恒程知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 44287
• 代理人: 胡海國(guó)

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及到TFT陣列技術(shù)，特別涉及到一種TFT陣列的結(jié)構(gòu)及制造方法。

背景技術(shù)

圖1為現(xiàn)有技術(shù)反射式膽固醇液晶顯示器中TFT(Thin?Film?Transistor，薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的陣列結(jié)構(gòu)示意圖；參照?qǐng)D1，現(xiàn)有技術(shù)中反射式膽固醇液晶顯示器(Cholesteric?LCD)的TFT陣列結(jié)構(gòu)通常包括：基板10、第一金屬導(dǎo)電層11、中間層12、第二金屬導(dǎo)電層13、鈍化層14、COM電極15、(黑色)吸收層16、液晶層17、另一COM電極15以及另一基板10；該中間層12包括絕緣層121、半導(dǎo)體以及N⁺層122。該吸收層16可為該顯示器提供黑暗狀態(tài)(dark?state)，且由于該顯示器TFT陣列中的a-Si(半導(dǎo)體以及N⁺層122)薄膜受光照射后導(dǎo)電性與光照強(qiáng)度成正比(參照?qǐng)D2)，因此該吸收層16還可避免a-Si薄膜因環(huán)境光線而造成在斷開狀態(tài)下(OFF?state)的電流泄漏。

圖3a至圖3c為現(xiàn)有技術(shù)反射式膽固醇液晶顯示器的三種狀態(tài)示意圖；參照?qǐng)D3a至3c，現(xiàn)有的該顯示器通常包括明亮狀態(tài)(Bright?state)、黑暗狀態(tài)(Darkstate)以及刷新狀態(tài)(Refresh?state)三種狀態(tài)。由于現(xiàn)有的TFT陣列結(jié)構(gòu)中，該吸收層16不能完全吸收掉發(fā)生散射的入射光，當(dāng)該顯示器要更新畫面時(shí)必需先操作refresh?state(刷新狀態(tài))再切換到設(shè)定的畫面，而操作refresh?state時(shí)需要高電壓操作(20～30V)，由于吸收層16及ITO(Indium?Tin?Oxides，銦錫氧化物)電極(COM電極15)會(huì)分壓而降低有效電壓，使得操作達(dá)不到預(yù)想效果。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的主要目的為提供一種TFT陣列的結(jié)構(gòu)及制造方法，減少了液晶cell中的電壓損耗。

本發(fā)明提出一種TFT陣列的結(jié)構(gòu)，包括：第一金屬導(dǎo)電層、中間層、第二金屬導(dǎo)電層、鈍化層以及黑色電極層；

所述第一金屬導(dǎo)電層通過成膜以及第一道光罩形成于基板上；所述中間層通過沉積以及第二道光罩形成于所述第一金屬導(dǎo)電層上；所述第二金屬導(dǎo)電層通過第三道光罩蝕刻形成于所述中間層上；所述鈍化層通過沉積以及第四道光罩的蝕刻形成于所述中間層以及第二金屬導(dǎo)電層上；所述黑色電極層形成于所述鈍化層上。

優(yōu)選地，所述中間層包括：

依次成膜的絕緣層、半導(dǎo)體以及N+層。

優(yōu)選地，所述鈍化層具有蝕刻出的接觸孔。

優(yōu)選地，所述黑色電極層填充所述接觸孔并與所述第二金屬導(dǎo)電層連接。

優(yōu)選地，所述黑色電極層包括像素電極和TFT遮光電極；所述像素電極與TFT遮光電極不相連接，且所述像素電極填充所述接觸孔并與第二金屬導(dǎo)電層連接。

優(yōu)選地，所述黑色電極層為導(dǎo)電性的吸收材料。

本發(fā)明還提出一種TFT陣列的制造方法，包括步驟：

在基板上成膜并經(jīng)過第一道光罩形成第一金屬導(dǎo)電層；

在所述第一金屬導(dǎo)電層上沉積并經(jīng)過第二道光罩形成中間層；

通過第三道光罩蝕刻，在所述中間層上形成第二金屬導(dǎo)電層；

沉積鈍化層在所述中間層以及第二金屬導(dǎo)電層上，并通過第四道光罩進(jìn)行蝕刻；

在所述鈍化層上形成黑色電極層。

優(yōu)選地，所述在所述第一金屬導(dǎo)電層上沉積并經(jīng)過第二道光罩形成中間層的步驟具體包括：

在所述第一金屬導(dǎo)電層上沉積絕緣層；

在所述絕緣層上形成并通過第二道光罩蝕刻出半導(dǎo)體以及N+層。

優(yōu)選地，通過第四道光罩蝕刻所述鈍化層時(shí)包括在所述鈍化層上蝕刻出的接觸孔的步驟。

優(yōu)選地，所述在所述鈍化層上形成黑色電極層的步驟還包括使黑色電極層填充所述接觸孔并通過填充到所述接觸孔內(nèi)的黑色電極層連接所述第二金屬導(dǎo)電層。

優(yōu)選地，所述黑色電極層包括互不導(dǎo)通的像素電極和TFT遮光電極；在所述鈍化層上形成黑色電極層的步驟具體包括：在所述鈍化層上形成所述像素電極與TFT遮光電極，并使所述像素電極填充所述接觸孔以連通第二金屬導(dǎo)電層。

優(yōu)選地，所述黑色電極層為導(dǎo)電性的吸收材料。

本發(fā)明的TFT陣列的結(jié)構(gòu)及制造方法，通過形成具有光吸收性的導(dǎo)電電極(黑色電極層)，取代現(xiàn)有的COM電極和吸收層，并利用傳統(tǒng)制作工藝在鈍化層上成膜，在減少了一道成膜工序的同時(shí)還解決了傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)因液晶層及吸收層分壓而降低有效電壓的問題，使液晶層可以完全感受到外部送進(jìn)像素的電壓信號(hào)，提升了該顯示器性能。