[發明專利]TFT陣列的結構及制造方法

有效

• 申請號: 201110239955.9
• 申請日: 2011-08-19
• 公開（公告）號: CN102332452A
• 公開（公告）日: 2012-01-25
• 發明（設計）人: 張維宏;賀成明
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1345
• 代理公司: 深圳市世紀恒程知識產權代理事務所 44287
• 代理人: 胡海國

1.一種TFT陣列的結構，其特征在于，包括：第一金屬導電層、中間層、第二金屬導電層、鈍化層以及黑色電極層；

所述第一金屬導電層通過成膜以及第一道光罩形成于基板上；所述中間層通過沉積以及第二道光罩形成于所述第一金屬導電層上；所述第二金屬導電層通過第三道光罩蝕刻形成于所述中間層上；所述鈍化層通過沉積以及第四道光罩的蝕刻形成于所述中間層以及第二金屬導電層上；所述黑色電極層形成于所述鈍化層上。

2.根據權利要求1所述的TFT陣列的結構，其特征在于，所述中間層包括：

依次成膜的絕緣層、半導體以及N+層。

3.根據權利要求1或2所述的TFT陣列的結構，其特征在于，所述鈍化層具有蝕刻出的接觸孔。

4.根據權利要求3所述的TFT陣列的結構，其特征在于，所述黑色電極層填充所述接觸孔并與所述第二金屬導電層連接。

5.根據權利要求3所述的TFT陣列的結構，其特征在于，所述黑色電極層包括像素電極和TFT遮光電極；所述像素電極與TFT遮光電極不相連接，且所述像素電極填充所述接觸孔并與第二金屬導電層連接。

6.根據權利要求1所述的TFT陣列的結構，其特征在于，所述黑色電極層為導電性的吸收材料。

7.一種TFT陣列的制造方法，其特征在于，包括步驟：

在基板上成膜并經過第一道光罩形成第一金屬導電層；

在所述第一金屬導電層上沉積并經過第二道光罩形成中間層；

通過第三道光罩蝕刻，在所述中間層上形成第二金屬導電層；

沉積鈍化層在所述中間層以及第二金屬導電層上，并通過第四道光罩進行蝕刻；

在所述鈍化層上形成黑色電極層。

8.根據權利要求7所述的TFT陣列的制造方法，其特征在于，所述在所述第一金屬導電層上沉積并經過第二道光罩形成中間層的步驟具體包括：

在所述第一金屬導電層上沉積絕緣層；

在所述絕緣層上形成并通過第二道光罩蝕刻出半導體以及N+層。

9.根據權利要求7或8所述的TFT陣列的制造方法，其特征在于，通過第四道光罩蝕刻所述鈍化層時包括在所述鈍化層上蝕刻出的接觸孔的步驟。

10.根據權利要求9所述的TFT陣列的制造方法，其特征在于，所述在所述鈍化層上形成黑色電極層的步驟還包括使黑色電極層填充所述接觸孔并通過填充到所述接觸孔內的黑色電極層連接所述第二金屬導電層。

11.根據權利要求9所述的TFT陣列的制造方法，其特征在于，所述黑色電極層包括互不導通的像素電極和TFT遮光電極；在所述鈍化層上形成黑色電極層的步驟具體包括：在所述鈍化層上形成所述像素電極與TFT遮光電極，并使所述像素電極填充所述接觸孔以連通第二金屬導電層。

12.根據權利要求7所述的TFT陣列的制造方法，其特征在于，所述黑色電極層為導電性的吸收材料。