[發明專利]電磁屏蔽方法及制品

無效

• 申請號: 201110239726.7
• 申請日: 2011-08-19
• 公開（公告）號: CN102958337A
• 公開（公告）日: 2013-03-06
• 發明（設計）人: 張新倍;陳文榮;陳正士;李聰
• 申請（專利權）人: 鴻富錦精密工業（深圳）有限公司;鴻海精密工業股份有限公司
• 主分類號: H05K9/00
• 分類號: H05K9/00;C23C14/06;C23C14/18;C23C14/35
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種制品，包括基體，其特征在于：該制品還包括形成于該基體上的一絕緣層及形成于該絕緣層上的導電層，該絕緣層為硅-氧層，該導電層為鎢銅合金層。

2.如權利要求1所述的制品，其特征在于：該絕緣層及導電層通過真空鍍膜的方式形成。

3.如權利要求1所述的制品，其特征在于：該絕緣層的厚度為0.8-5μm。

4.如權利要求3所述的制品，其特征在于：該絕緣層的厚度為2-3μm。

5.如權利要求1所述的制品，其特征在于：該導電層的厚度為0.5-2μm。

6.如權利要求5所述的制品，其特征在于：該導電層的厚度為1-2μm。

7.如權利要求1所述的制品，其特征在于：該基體為印刷電路板或柔性線路板。

8.如權利要求7所述的制品，其特征在于：該基體上形成有至少一電子元件，所述絕緣層及所述導電層沉積在所述電子元件的表面及基體的表面，以使電子元件被封閉于所述絕緣層內。

9.一種電磁屏蔽方法，其包括如下步驟：

提供基體；

采用真空鍍膜法，以硅靶為靶材，以氧氣為反應氣體，于基體上形成一絕緣層，該絕緣層為硅-氧層；

采用真空鍍膜法，以鎢銅合金靶為靶材，于該絕緣層上形成一導電層，該導電層為鎢銅合金層。

10.如權利要求9所述的電磁屏蔽方法，其特征在于：形成所述絕緣層的方法為：采用磁控濺射鍍膜法，設置硅靶的功率為5~8kw，以氧氣為反應氣體，氧氣的流量為50~200sccm，以氬氣為工作氣體，氬氣的流量為100~300sccm，施加于基體的偏壓為-100~-300V，鍍膜溫度為20~80℃，鍍膜時間為15~35min。

11.如權利要求9所述的電磁屏蔽方法，其特征在于：形成所述導電層的方法：采用磁控濺射鍍膜法，設置鎢銅合金靶的功率為10~15kw，以氬氣為工作氣體，氬氣的流量為100~300sccm，施加于基體的偏壓為-100~-300V，鍍膜溫度為20~80℃，鍍膜時間為3~20min。