[發明專利]半導體裝置及其制作方法

有效

• 申請號: 201110238815.X
• 申請日: 2011-08-19
• 公開（公告）號: CN102956453B
• 公開（公告）日: 2017-02-22
• 發明（設計）人: 蔡騰群;吳俊元;劉志建;簡金城;林進富
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/8238;H01L29/423;H01L27/092
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所11105
• 代理人: 彭久云

1.一種制作半導體裝置的方法，包括：

提供半導體基底，該半導體基底具有第一有源區域以及第二有源區域；

形成至少一第一鰭狀結構于該第一有源區域上，而整個該第一鰭狀結構具有第一應力；以及

形成至少一第二鰭狀結構于該第二有源區域上，而整個該第二鰭狀結構具有不同于該第一應力的第二應力。

2.如權利要求1所述的制作半導體裝置的方法，進一步包括：

形成第一柵極部分覆蓋該第一鰭狀結構；

形成第二柵極部分覆蓋該第二鰭狀結構；

形成第一源極/漏極區分別位于該第一柵極兩側的該第一鰭狀結構中；以及

形成第二源極/漏極區分別位于該第二柵極兩側的該第二鰭狀結構中。

3.如權利要求1所述的制作半導體裝置的方法，其中各鰭狀結構的材料組成以硅鍺碳(Si_(1-x-y)Ge_xC_y)表示，且x及y為大于或等于0且小于1的正數。

4.如權利要求3所述的制作半導體裝置的方法，其中該第一有源區域包括N型晶體管區，且整個該第一鰭狀結構的材料組成中，y與x的比值大于0.1。

5.如權利要求3所述的制作半導體裝置的方法，其中該第二有源區域包括P型晶體管區，且整個該第二鰭狀結構的材料中，y與x的比值小于0.1。

6.如權利要求1所述的制作半導體裝置的方法，其中形成該多個鰭狀結構的方法包括：

形成半導體層于該半導體基底上；

進行至少一離子注入工藝；以及

圖案化該半導體層以形成該多個鰭狀結構。

7.如權利要求6所述的制作半導體裝置的方法，其中該半導體層具有該第一應力，而該離子注入工藝進行于該第二有源區域，使該第二鰭狀結構具有該第二應力。

8.如權利要求6所述的制作半導體裝置的方法，其中于該第一有源區域進行該離子注入工藝，以使該第一鰭狀結構具有該第一應力，而該方法還包括于該第二有源區域進行另一離子注入工藝，以使該第二鰭狀結構具有該第二應力。

9.如權利要求6所述的制作半導體裝置的方法，其中該離子注入工藝進行于圖案化該半導體層之后。

10.如權利要求6所述的制作半導體裝置的方法，其中該半導體層包括硅、硅鍺碳(Si_(1-x-y)Ge_xC_y)、硅碳(Si_(1-y)C_y)或硅鍺(Si_(1-x)Ge_x)，且x及y為大于或等于0且小于1的正數。

11.如權利要求1所述的制作半導體裝置的方法，其中該半導體基底包括硅覆絕緣基底或塊硅基底。

12.如權利要求2所述的制作半導體裝置的方法，其中該第一柵極與該第二柵極中的至少一者為金屬柵極。

13.一種半導體裝置，包括：

半導體基底，包括至少一第一有源區域以及至少一第二有源區域；

至少一第一鰭狀結構，設置于該第一有源區域，而整個該第一鰭狀結構具有第一應力；以及

至少一第二鰭狀結構，設置于該第二有源區域，而整個該第二鰭狀結構具有不同于該第一應力的第二應力。

14.如權利要求13所述的半導體裝置，進一步包括：

第一柵極部分，覆蓋該第一鰭狀結構；

第二柵極部分，覆蓋該第二鰭狀結構；

第一源極/漏極區，分別設置于該第一柵極兩側的該第一鰭狀結構中；以及

第二源極/漏極區，分別設置于該第二柵極兩側的該第二鰭狀結構中。

15.如權利要求13所述的半導體裝置，其中該半導體基底包括硅覆絕緣基底或塊硅基底。

16.如權利要求13所述的半導體裝置，其中該第一鰭狀結構以及該第二鰭狀結構包括半導體材料，以硅鍺碳(Si_(1-x-y)Ge_xC_y)表示，且x及y為大于或等于0且小于1的正數。