[發明專利]利用光伏晶體硅加工廢砂漿生產三氯氫硅方法

有效

• 申請號: 201110238178.6
• 申請日: 2011-08-12
• 公開（公告）號: CN102408114A
• 公開（公告）日: 2012-04-11
• 發明（設計）人: 尹晏生;趙鳳忠;高明利;尹克勝
• 申請（專利權）人: 尹克勝
• 主分類號: C01B33/107
• 分類號: C01B33/107
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.利用光伏晶體硅加工廢砂漿生產三氯氫硅方法，其特征在于：按照申請號201110101064.7《光伏電池晶體硅加工廢砂漿綜合處理新方法》完成分離、回收廢砂漿中的PEG和鐵后，把由SiC、Si微粉組成的二元砂與HCl氣體混合噴人氣流床反應器內，按Si+3HC↑＝SiHCl₃↑+H₂↑反應，制備三氯氫硅，作為制備光伏晶體硅和有機硅烷、烷基、芳基以及有機官能團氯硅烷的合成原料，不反應的SiC微粉通過分離提純系統的除塵裝置分離回收。

2.根據權利要求1所述的利用光伏晶體硅加工廢砂漿生產三氯氫硅方法，其特征在于：SiC、Si二元砂質量含量為SiC5-50％、粒度≤30um；Si95-49％、粒度≤10um；Fe≤0.3％、其他≤0.7％，粒度≤50um；綜合粒度范圍1000-3000目。

3.根據權利要求1所述的利用光伏晶體硅加工廢砂漿生產三氯氫硅方法，其特征在于：參與反應的HCl↑是硫酸鉀復合肥生產(2KCl+H₂SO₄＝＝K₂SO₄+2HCl↑)產生的HCl氣體，該氣體通過冷凍、脫水后，HCl≥95％以上、含水量≤0.1％。

4.根據權利要求1所述的利用光伏晶體硅加工廢砂漿生產三氯氫硅方法，其特征在于：經充分干燥的SiC、Si二元砂按計算配比用HCl?↑夾帶噴入氣流床反應器，形成旋流，以利Si+3HCl↑＝SiHCl₃↑+H₂↑反應進行和不反應的SiC的分離沉降，反應溫度控制在200-400C；反應產物從氣流床上部排出，進入分離提純系統，通過旋流分離出的SiC微粉從氣流床底部定期回收。

5.根據權利要求1所述的利用光伏晶體硅加工廢砂漿生產三氯氫硅方法，其特征在于：氣流床反應生成物SiHCl₃↑+H₂↑夾帶部分固體微粒離開氣流床反應器，進入分離提純系統，通過除塵凈化裝置分離回收其中的SiC等固體微粒；通過精餾提純裝置得到三氯氫硅精品作為制備光伏晶體硅的原料或有機硅烷和烷基、芳基以及有機官能團氯硅烷的合成原料。