[發明專利]閾值電壓檢測裝置

有效

• 申請號: 201110235992.2
• 申請日: 2011-08-16
• 公開（公告）號: CN102647179A
• 公開（公告）日: 2012-08-22
• 發明（設計）人: 陳柏廷;王光丞
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H03K19/0185
• 分類號: H03K19/0185
• 代理公司: 北京德恒律師事務所 11306
• 代理人: 陸鑫;高雪琴

1.一種裝置，包括：

電壓電平向上移位器，所述電壓電平向上移位器設置成將包括第一電壓電平和第二電壓電平的信號轉化成第一輸出端上的包括所述第一電壓電平和第三電壓電平的第一輸出信號；以及

電壓電平向下移位器，所述電壓電平向下移位器設置成將所述信號轉化成第二輸出端上的包括所述第二電壓電平和所述第三電壓電平的第二輸出信號。

2.根據權利要求1所述的裝置，其中所述電壓電平向上移位器包括：

第一P-型金屬-氧化物-半導體(PMOS)晶體管，所述第一P-型金屬-氧化物-半導體(PMOS)晶體管具有與電源連接的第一柵極，與所述信號連接的第一源極，與所述第一輸出端連接的第一漏極；以及

第二PMOS晶體管，所述第二PMOS晶體管具有與所述信號連接的第二柵極，與所述電源連接的第二源極，與所述第一輸出端連接的第二漏極。

3.根據權利要求2所述的裝置，其中所述電源具有大約1.8V的電勢。

4.根據權利要求1所述的裝置，其中所述電壓電平向下移位器包括：

第一N-型金屬-氧化物-半導體(NMOS)晶體管，所述第一N-型金屬-氧化物-半導體(NMOS)晶體管具有與電源連接的第一柵極，與所述信號連接的第一源極，與所述第二輸出端連接的第一漏極；以及

第二NMOS晶體管，所述第二NMOS晶體管具有與所述信號連接的第二柵極，與所述電源連接的第二源極，與所述第二輸出端連接的第二漏極。

5.一種系統包括：

第一電路，所述第一電路設置成產生從第一電壓電平變化到第二電壓電平的信號；

第二電路，所述第二電路在低電壓半導體工藝中制造；以及

連接在所述第一電路和所述第二電路之間的閾值電壓檢測裝置包括：

電壓電平向上移位器，所述電壓電平向上移位器設置成將所述信號轉化成第一輸出端上的包括所述第二電壓電平和第三電壓電平的第一輸出信號；以及

電壓電平向下移位器，所述電壓電平向下移位器設置成將所述信號轉化成第二輸出端上的包括所述第一電壓電平和所述第三電壓電平的第二輸出信號。

6.根據權利要求5所述的系統，其中所述電壓電平向上移位器包括：

第一P-型金屬-氧化物-半導體(PMOS)晶體管，所述第一P-型金屬-氧化物-半導體(PMOS)晶體管具有與第一電源連接的第一柵極，與所述信號連接的第一源極，與所述第一輸出端連接的第一漏極；以及

第二PMOS晶體管，所述第二PMOS晶體管具有與所述信號連接的第二柵極，與所述電源連接的第二源極，與所述第一輸出端連接的第二漏極。

7.根據權利要求6所述的系統，其中所述電壓電平向上移位器還包括：

反相級，所述反相級包括：

第三PMOS晶體管，所述第三PMOS晶體管具有與所述第一輸出端連接的第三柵極，與第二電源連接的第三源極，第三漏極；以及

第四N-型金屬-氧化物半導體(NMOS)晶體管，所述第四N-型金屬-氧化物-半導體(NMOS)晶體管具有與所述信號連接的第四柵極，與所述第三漏極連接的第四漏極和與所述第一電源連接的第四源極；

其中所述第二電源具有大約3.3V的電勢。

8.一種方法包括：

接收從第一電壓電平變化到第二電壓電平的信號；

將所述信號轉化成第一輸出端上的從第三電壓電平變化到所述第二電壓電平的第一輸出信號；以及

將所述信號轉化成第二輸出端上的從所述第一電壓電平變化到所述第三電壓電平的第二輸出信號。

9.根據權利要求8所述的方法，其中當所述信號處于所述第二電壓電平時所述第一輸出信號處于所述第二電壓電平，而當所述信號處于所述第一電壓電平時所述第一輸出信號處于所述第三電壓電平，其中當所述信號處于所述第二電壓電平時所述第二輸出信號處于所述第三電壓電平，而當所述信號處于所述第一電壓電平時所述第二輸出信號處于所述第一電壓電平。

10.根據權利要求8所述的方法，還包括：

將所述第一輸出信號發送給緩沖器的第一柵極，其中設置所述緩沖器的所述第一柵極和第一源極，使得：

在所述第一柵極和所述第一源極兩端的第一柵極-源極電壓小于所述緩沖器指定的最大電壓；以及

將所述第二輸出信號發送給所述緩沖器的第二柵極，其中設置所述緩沖器的所述第二柵極和第二源極，使得：

在所述第二柵極和所述第二源極兩端的第二柵極-源極電壓小于所述緩沖器指定的所述最大電壓。