[發明專利]灰化后側壁修復

無效

• 申請號: 201110235855.9
• 申請日: 2011-08-11
• 公開（公告）號: CN102931130A
• 公開（公告）日: 2013-02-13
• 發明（設計）人: 崔振江;王安川;梅休爾·內克;妮琴·英吉;李勇;尚卡·文卡塔拉曼
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;鐘強

1.一種降低低K電介質材料的有效介電常數的方法，所述低K電介質材料在圖案化基底上的兩個溝槽之間，所述圖案化基底在基底處理區域中，其中所述低K電介質材料構成所述兩個溝槽的壁，所述方法包括：

將所述圖案化基底轉移到所述基底處理區域中；和

對所述圖案化基底進行氣相蝕刻，以通過從所述低K電介質材料移除外部電介質層，降低所述低K電介質材料的平均介電常數。

2.如權利要求1所述的方法，其中所述氣相蝕刻包括：

使含氟前體和含氫前體流進第一遠程等離子體區域，所述第一遠程等離子體區域與所述基底處理區域流動耦接，同時在所述第一遠程等離子體區域中形成等離子體，以產生等離子體流出物；

通過使所述等離子體流出物流進所述基底處理區域，蝕刻所述圖案化基底，同時在所述基底的表面上形成固體副產品；和

通過使所述基底的溫度升高到所述固體副產品的升華溫度以上，使所述固體副產品升華。

3.如權利要求2所述的方法，其中所述含氟前體包括至少一種前體，所述至少一種前體選自由下列物質所組成的組：三氟化氮、氟化氫、雙原子氟、單原子氟和氟取代的碳氫化合物。

4.如權利要求2所述的方法，其中所述含氫前體包括至少一種前體，所述至少一種前體選自由下列物質所組成的組：原子氫、分子氫、氨、碳氫化合物和鹵素不完全取代的碳氫化合物。

5.如權利要求2所述的方法，其中在升華所述固體副產品的操作期間，將所述基底的溫度升高到大約100℃或更高。

6.如權利要求1所述的方法，其中所述外部電介質層具有大于3.0的介電常數，并且其余的所述低K電介質材料具有小于3.0的介電常數。

7.如權利要求1所述的方法，其中所述外部電介質層的相對高的介電常數由等離子體灰化導致。

8.如權利要求1所述的方法，進一步包括在所述氣相蝕刻的操作之前對所述圖案化基底進行灰化的操作。

9.如權利要求1所述的方法，其中從所述兩個溝槽的壁移除所述外部電介質層。

10.如權利要求8所述的方法，其中在將所述圖案化基底轉移到所述基底處理區域中的操作之后，發生對所述圖案化基底進行灰化的所述操作。

11.如權利要求8所述的方法，其中在將所述圖案化基底轉移到所述基底處理區域中的操作之前，發生對所述圖案化基底進行等離子體灰化的所述操作。

12.如權利要求1所述的方法，其中所述外部電介質層的厚度大約為150或更小。

13.如權利要求1所述的方法，其中在氣相蝕刻過程中，所述外部電介質層的蝕刻速率比其余的所述低K電介質材料的蝕刻速率超出大于50倍。

14.如權利要求1所述的方法，其中對所述圖案化基底進行氣相蝕刻的所述操作之后，緊接著在氣氛中對所述圖案化基底進行等離子體處理，以移除蝕刻后的殘余物，所述氣氛包含氬氣、氮氣(N₂)、氨(NH₃)或氫氣(H₂)中的至少一種。

15.如權利要求14所述的方法，其中所述蝕刻后的殘余物包含氟。