[發明專利]一種預防刻蝕阻擋層開裂的結構及形成該結構的方法

無效

• 申請號: 201110235258.6
• 申請日: 2011-08-17
• 公開（公告）號: CN102446918A
• 公開（公告）日: 2012-05-09
• 發明（設計）人: 徐強;張文廣;鄭春生;陳玉文
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L27/092
• 分類號: H01L27/092;H01L21/8238;H01L21/316
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司 31213
• 代理人: 王敏杰

1.一種預防刻蝕阻擋層開裂的結構，其特征在于，包括：?

一設置有柵極的半導體基底，所述柵極側壁及鄰近柵極的部分半導體基底上覆蓋有側墻；

一由STI工藝形成的溝槽設置于該半導體基底中，所述溝槽內設有填充物；

一二氧化硅緩沖層覆蓋于半導體基底、側墻及柵極上；以及

一層氮化硅通孔刻蝕阻擋層覆蓋于二氧化硅緩沖層上。

2.根據權利要求1所述的結構，其特征在于，所述二氧化硅緩沖層的厚度在30~300A之間。

3.一種形成權利要求1所述預防刻蝕阻擋層開裂結構的方法，其特征在于，包括以下步驟：

在STI工藝形成的淺溝槽所分隔出的有源區內進行CMOS工藝，從而在半導體基板上形成溝槽和柵極，所述溝槽內填充二氧化硅，所述在柵極側壁及鄰近柵極的部分半導體基底上覆蓋有側墻；

在所述半導體基底、側墻及柵極上噴射沉積一二氧化硅緩沖層，在所述二氧化硅緩沖層上沉積一氮化硅通孔刻蝕阻擋層。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，二氧化硅緩沖層沉積的溫度在300~500℃之間。

5.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，二氧化硅緩沖層沉積的壓力在100~700?torr之間。

6.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，通過對半導體襯底噴射正硅酸乙脂和臭氧來實現二氧化硅緩沖層的沉積。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，噴嘴物料出口到半導體基底之間的距離在0.1~0.5英寸。

8.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，正硅酸乙酯的噴射量控制在1000~3000?毫克/分鐘之間。

9.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，臭氧的噴射流量控制在10000~30000標況毫升/分鐘之間。