[發(fā)明專利]CVD機臺的晶圓傳送系統(tǒng)和晶圓傳送方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110234936.7
• 申請日: 2011-08-17
• 公開（公告）號: CN102953042A
• 公開（公告）日: 2013-03-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李晶
• 申請（專利權(quán)）人: 無錫華潤上華半導(dǎo)體有限公司;無錫華潤上華科技有限公司
• 主分類號: C23C16/00
• 分類號: C23C16/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種CVD機臺的晶圓傳送系統(tǒng)及使用該CVD機臺的晶圓傳送系統(tǒng)的晶圓傳送方法，尤其涉及CVD機臺的晶圓傳送系統(tǒng)的晶圓位置偏差的檢測和校正技術(shù)。

背景技術(shù)

化學(xué)氣相沉積(CVD)是半導(dǎo)體工業(yè)中應(yīng)用最為廣泛的用來沉積多種材料的技術(shù)，包括大范圍的絕緣材料，大多數(shù)金屬材料和金屬合金材料。CVD(Chemical?Vapor?Deposition，化學(xué)氣相淀積)，指把含有構(gòu)成薄膜元素的氣態(tài)反應(yīng)劑或液態(tài)反應(yīng)劑的蒸氣及反應(yīng)所需其它氣體引入反應(yīng)室，在襯底表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成薄膜的過程。在超大規(guī)模集成電路中很多薄膜都是采用CVD方法制備。經(jīng)過CVD處理后，表面處理膜密著性約提高30％，防止高強力鋼的彎曲，拉伸等成形時產(chǎn)生的刮痕。

CVD技術(shù)的淀積溫度低，薄膜成份易控，膜厚與淀積時間成正比，均勻性，重復(fù)性好，臺階覆蓋性優(yōu)良。

在現(xiàn)實應(yīng)用中多使用CVD機臺進行晶圓CVD處理，如CVD?SEQUEL和CENTURA機臺。在機臺的晶圓傳送過程中，因Load?lock(晶圓傳送區(qū)域)的傳送臂位置上下偏差、或晶圓翹曲變形而可能引起機臺撞片，導(dǎo)致晶圓CVD處理時出現(xiàn)錯誤，降低良品率。

發(fā)明內(nèi)容

針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明目的在于提供一種CVD機臺的晶圓傳送系統(tǒng)及使用該CVD機臺的晶圓傳送系統(tǒng)的晶圓傳送方法。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種CVD機臺的晶圓傳送系統(tǒng)，包括：淀積腔體，用于收容晶圓以進行化學(xué)氣相沉積；傳送臂，用于將晶圓傳送到淀積腔體；還包括：光信號發(fā)生器，安裝在傳送臂上，用于向晶圓發(fā)射光信號；光傳感器，用于監(jiān)測光信號發(fā)生器發(fā)出的光信號。

優(yōu)選的，所述淀積腔體包括用于暫時存放晶圓的中轉(zhuǎn)區(qū)域和進行淀積的反應(yīng)區(qū)域，所述傳送臂將晶圓傳送到中轉(zhuǎn)區(qū)域。

優(yōu)選的，還包括控制裝置，所述控制裝置連接光傳感器，當光傳感器接收到光信號發(fā)生器發(fā)出的光信號時，控制裝置向CVD機臺發(fā)出停止機械動作的信號。

優(yōu)選的，當晶圓和傳送臂處于一種預(yù)設(shè)的相對位置關(guān)系時，所述光信號發(fā)生器發(fā)射的光信號穿過晶圓的空隙；當晶圓和傳送臂偏離前述預(yù)設(shè)的相對位置關(guān)系時，光信號投射到晶圓表面并被反射到光傳感器。

優(yōu)選的，所述光信號發(fā)生器為激光發(fā)生器，所述光傳感器為激光傳感器。

優(yōu)選的，所述傳送臂上安裝有兩個激光發(fā)生器。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明還提供了一種使用上述晶圓傳送系統(tǒng)的CVD機臺的晶圓傳送方法，其特征在于，包括以下步驟：

第一步，提供待處理的晶圓；

第二步，使用傳送臂將晶圓向淀積腔體傳送；

第三步，使用光信號發(fā)生器向晶圓發(fā)射光信號；

第四步，在執(zhí)行第三步的同時或者之后，使用光傳感器監(jiān)測光信號；

優(yōu)選的，所述方法還包括以下步驟：

提供連接光傳感器的控制裝置，當光傳感器接受到光信號時，控制裝置向CVD機臺發(fā)出停止機械動作的信號。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是：通過設(shè)置光信號發(fā)生器和光傳感器，檢測晶圓和傳送臂的相對位置，避免將不符合要求的晶圓送入淀積腔體。

附圖說明

圖1是本發(fā)明的具體實施例的晶圓傳送系統(tǒng)的晶圓和傳送臂處于預(yù)設(shè)的相對位置的狀態(tài)圖。

圖2是本發(fā)明的具體實施例的晶圓傳送系統(tǒng)的晶圓和傳送臂處于預(yù)設(shè)的相對位置的狀態(tài)圖。

具體實施方式

以下通過具體實施例說明本發(fā)明的思想。

本發(fā)明的具體實施例的一種CVD機臺的晶圓傳送系統(tǒng)包括：淀積腔體，包括用于暫時存放晶圓的中轉(zhuǎn)區(qū)域和進行淀積的反應(yīng)區(qū)域；傳送臂，用于將晶圓傳送到淀積腔體，具體為傳送到中轉(zhuǎn)區(qū)域；還包括：光信號發(fā)生器，安裝在傳送臂上，用于向晶圓發(fā)射光信號；光傳感器，用于監(jiān)測光信號發(fā)生器發(fā)出的光信號。

在CVD淀積過程中，由傳送臂將整批的晶圓分單片去表到淀積腔體的中轉(zhuǎn)區(qū)域，該區(qū)域業(yè)界通常會有兩種檢查方式用于避免撞片。一是在設(shè)備保養(yǎng)時通過假片的傳送，由設(shè)備人員來調(diào)整傳送位置，從而保證機臺傳送的正確性。二是在進入中轉(zhuǎn)區(qū)域時對整批晶圓進行片架掃描，但是在晶圓的實際傳送過程中，并不檢測晶圓是否翹曲或手臂的位置是否有偏移。