[發(fā)明專利]半導體封裝件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110234077.1
• 申請日: 2011-08-12
• 公開（公告）號: CN102376670A
• 公開（公告）日: 2012-03-14
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張元基;樸泰成
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495;H01L25/00
• 代理公司: 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 韓明星;劉燦強

本申請要求于2010年8月12日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2010-0077815號韓國專利申請和于2011年3月27日在美國專利商標局提交的第13/072,746號美國專利申請的權(quán)益，這些申請的公開通過引用全部包含于此。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明構(gòu)思大體上涉及一種半導體封裝基底和一種具有該半導體封裝基底的半導體封裝件。

背景技術(shù)

現(xiàn)在，對既具有較小的尺寸又具有較強的數(shù)據(jù)處理能力的電子裝置的需求一直在增加。雖然已經(jīng)提出各種方法來提高這種電子裝置中使用的半導體器件的集成度和數(shù)據(jù)處理能力，但是這些方法面臨若干問題和缺點，例如半導體器件中的數(shù)據(jù)不穩(wěn)定性和不可靠性。

發(fā)明內(nèi)容

在一個實施例中，半導體封裝件包括具有第一表面和可由封裝基底的邊緣限定的邊界的封裝基底。封裝件還包括具有前表面和后表面的第一半導體芯片。第一半導體芯片的第一部分的后表面可設(shè)置在封裝基底的第一表面上，第一半導體芯片的第二部分的后表面延伸超過封裝基底的限定的邊界。半導體封裝件還可包括第二半導體芯片，第二半導體芯片設(shè)置在第一半導體芯片的延伸超過封裝基底的限定的邊界的第二部分的后表面上。

在一些實施例中，封裝基底可以是引線框架的裸片置盤(die?paddle)。在另一實施例中，封裝基底可以是印刷電路板(PCB)基底。

通過這些方面，尤其是當半導體封裝件中包括多個半導體芯片時，可減小半導體封裝件的總厚度和體積。

附圖說明

通過下面結(jié)合附圖進行的詳細描述，本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例將被更清楚地理解，在附圖中：

圖1至圖5是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實施例的引線框架的俯視圖；

圖6至圖9是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的第一實施例的半導體封裝件的剖視圖；

圖10至圖14是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的第二實施例的半導體封裝件及其制造方法的剖視圖；

圖15是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的第二實施例的半導體封裝件的俯視圖；

圖16是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的第一實施例的變型例的半導體封裝件的剖視圖；

圖17至圖20是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的第三實施例的半導體封裝件及其制造方法的剖視圖；

圖21至圖26是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的第四實施例的半導體封裝件及其制造方法的剖視圖；

圖27至圖30是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的第五實施例的半導體封裝件及其制造方法的剖視圖；

圖31至圖34是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的第六實施例的半導體封裝件及其制造方法的剖視圖；

圖35至圖38是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的第七實施例的半導體封裝件及其制造方法的剖視圖；

圖39是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的第八實施例的半導體封裝件的剖視圖；

圖40是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的第九實施例的半導體封裝件的剖視圖；

圖41是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的第十實施例的半導體封裝件的剖視圖；

圖42是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的第十一實施例的半導體封裝件的剖視圖；

圖43是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實施例的存儲卡的框圖；

圖44是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實施例的電子系統(tǒng)的框圖；

圖45A是根據(jù)一些實施例的半導體封裝件的大致示意性剖視圖。

圖45B是以俯視圖示出圖45A中的半導體封裝件的特定組件的大致示意圖，用以說明一些實施例的其它方面。

圖45C是以俯視圖示出的半導體封裝件的特定組件的其它示意圖，用以說明可選實施例的各方面。

具體實施方式

現(xiàn)在將參照附圖更充分地描述根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實施例的半導體封裝件和引線框架，在附圖中示出了本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例。然而，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，在不脫離由權(quán)利要求限定的本發(fā)明構(gòu)思的精神和范圍的情況下，在此可以進行形式和細節(jié)上的各種改變。由于本發(fā)明構(gòu)思允許各種改變和多種實施例，所以將在附圖中示出具體的實施例，并在書面描述中詳細地描述這些具體的實施例。然而，這不意圖將本發(fā)明構(gòu)思限定為具體的實施模式，應(yīng)該理解的是，不脫離本發(fā)明構(gòu)思的精神和技術(shù)范圍的所有改變、等同物和替換物均包含在本發(fā)明構(gòu)思中。

應(yīng)該理解的是，當元件或?qū)颖环Q作“在”另一元件或?qū)印吧稀睍r，該元件或?qū)涌梢灾苯釉诹硪辉驅(qū)由?，或者可存在中間元件或中間層。相反，當元件被稱作“直接在”另一元件或?qū)印吧稀睍r，不存在中間元件或中間層。