[發(fā)明專利]增強應(yīng)力記憶技術(shù)效果的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110232262.7
• 申請日: 2011-08-15
• 公開（公告）號: CN102437119A
• 公開（公告）日: 2012-05-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 黃曉櫓;顏丙勇;陳玉文;邱慈云
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/8238
• 分類號: H01L21/8238
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司 31213
• 代理人: 王敏杰

1.一種增強應(yīng)力記憶技術(shù)效果的方法，在一襯底上形成至少一淺溝槽隔離，并在襯底上進行阱注入，其特征在于，包括以下步驟：

????在襯底上形成至少一非晶硅柵極；

????進行外延注入；

在非晶柵極的兩個形成器件側(cè)墻，并進行源/漏注入；

????在襯底上淀積一層氮化硅層，將襯底上的淺溝槽區(qū)域、非晶柵極及覆蓋在非晶柵極側(cè)壁的器件側(cè)墻覆蓋；

????使用準(zhǔn)分子激光照射與尖峰退火，產(chǎn)生應(yīng)力記憶技術(shù)所需要的應(yīng)力并留在柵內(nèi)；

????將覆蓋在襯底上的氮化硅層去除。

2.????根據(jù)權(quán)利要求1所述的增強應(yīng)力記憶技術(shù)效果的方法，其特征在于，進行準(zhǔn)分子激光照射的過程中將溫度控制在500~600°C之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的增強應(yīng)力記憶技術(shù)效果的方法，其特征在于，將進行準(zhǔn)分子激光照射的時間控制在1min~1000min。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的增強應(yīng)力記憶技術(shù)效果的方法，其特征在于，進行尖峰退火的過程中將溫度控制在800~1200之間。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的增強應(yīng)力記憶技術(shù)效果的方法，其特征在于，將尖峰退火的時間控制在30秒至2小時。