[發明專利]一種小體積高耐壓IGBT

有效

• 申請號: 201110230521.2
• 申請日: 2011-08-12
• 公開（公告）號: CN102263128A
• 公開（公告）日: 2011-11-30
• 發明（設計）人: 關仕漢;呂新立
• 申請（專利權）人: 淄博美林電子有限公司
• 主分類號: H01L29/739
• 分類號: H01L29/739;H01L29/06
• 代理公司: 淄博佳和專利代理事務所 37223
• 代理人: 孫愛華

1.一種小體積高耐壓IGBT，包括半導體基板上的有源區(101)和邊緣區(102)，有源區(101)位于半導體基板的中心區，邊緣區(102)環繞在有源區(101)的四周上方，邊緣區(102)的下方主擴散結(1)的上方覆蓋有SiO₂層(6)，其特征在于：有源區(101)和邊緣區(102)的主擴散結(1)為貫穿半導體基板中心區的PN結平面層，SiO₂層(6)外圍及邊緣區(102)側面覆蓋有鈍化層(9)。

2.根據權利要求1所述的一種小體積高耐壓IGBT，其特征在于：所述的主擴散結(1)厚度為1-10微米。

3.根據權利要求1所述的一種小體積高耐壓IGBT，其特征在于：所述的IGBT為N通道或P通道。