[發明專利]封裝結構及其制法

有效

• 申請號: 201110229563.4
• 申請日: 2011-08-09
• 公開（公告）號: CN102891124A
• 公開（公告）日: 2013-01-23
• 發明（設計）人: 林邦群;蔡岳穎;陳泳良
• 申請（專利權）人: 矽品精密工業股份有限公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495;H01L23/31;H01L21/60;H01L21/56;H01L23/00
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽

技術領域

本發明有關于一種封裝結構及其制法，尤指一種四方扁平無導腳的封裝結構及其制法。

背景技術

隨著半導體封裝技術的演進，除了傳統打線式(wire?bonding)半導體封裝技術以外，目前的半導體封裝結構已經發展出多種封裝型態，例如四方扁平無導腳(Quad?Flat?No-lead，簡稱QFN)半導體封裝結構，其通過直接將半導體芯片接置于一導線架或承載板上并加以打線，再以封裝材料包覆該半導體芯片與焊線，并于封裝結構底部露出做為連接外部電子裝置的電性接點。此種半導體封裝結構能縮減整體體積并提升電性功能，遂成為一種封裝的趨勢。

請參閱圖1A，現有四方扁平無導腳半導體封裝結構的剖視圖。如圖所示，傳統如第6,238,952、6,306,685、6,700,188、或7,060,535號美圍專利所揭露的四方扁平無導腳半導體封裝結構將其部分的線路層做為跡線(trace)11，而另一部份的線路層做為電性接點(terminal)12，然而，由于跡線11與電性接點12之間的距離通常很小，所以很容易發生焊料13橋接(solder?bridge)的現象，而造成不良品的產生，如圖1A左下或右下的跡線11與電性接點12的狀況。

為了避免上述焊料橋接的問題，遂有將防焊層形成于該跡線與電性接點之間的方式，如圖1B的另一種現有四方扁平無導腳半導體封裝結構的剖視圖所示，但是由于跡線11與電性接點12之間的距離過小，在填入該防焊層14時容易有氣泡15在其間產生，這些氣泡15會在后續制程中導致爆米花效應(popcorn?effect)，進而嚴重影響整體良率。

因此，如何避免上述現有技術中的種種問題，以使四方扁平無導腳半導體封裝結構不易發生焊料橋接現象或爆米花效應，實已成為目前亟欲解決的課題。

發明內容

有鑒于上述現有技術的缺失，本發明的主要目的在于提供一種封裝結構及其制法，以避免該跡線與電性接點的焊料橋接，并使該防焊層不易產生會導致爆米花效應的氣泡。

本發明所提供的封裝結構包括：置晶墊、多條跡線及多個電性接點，其各自具有相對的第一表面與第二表面，該置晶墊、跡線及電性接點于該第一表面彼此齊平，且該跡線的第二表面凹陷于該置晶墊及電性接點的第二表面；第一電鍍層，形成于該跡線的第一表面與該電性接點的第一表面上；第二電鍍層，形成于該電性接點的第二表面與該置晶墊的第二表面上；第三電鍍層，形成于該跡線的第二表面上；半導體芯片，設于該置晶墊上，且電性連接至該第一電鍍層；封裝材料，包覆該半導體芯片、第一電鍍層、跡線的部分側表面與電性接點的部分側表面；以及防焊層，由該第二表面側覆蓋該第三電鍍層、封裝材料、跡線的部分側表面與電性接點的部分側表面，且具有外露該第二電鍍層的防焊層開孔。

本發明還提供一種封裝結構的制法，包括：準備一具有相對的第一表面與第二表面的金屬承載板，該金屬承載板具有置晶墊，于該第一表面上形成第一阻層，該第一阻層具有外露部分該金屬承載板的第一圖案化開口區；移除該第一圖案化開口區中的該金屬承載板，而構成第一凹部，并定義出跡線凸部與電性接點凸部；移除該第一阻層；于該第二表面上形成第二阻層，該第二阻層具有外露部分該金屬承載板的第二圖案化開口區，該第二圖案化開口區的位置對應該跡線凸部；移除該第二圖案化開口區中的該金屬承載板，而構成第二凹部；移除該第二阻層；于該跡線凸部與電性接點凸部的頂面上形成第一電鍍層，并于該第二表面上形成對應該置晶墊與電性接點凸部的第二電鍍層，且于該第二凹部中形成第三電鍍層；于該置晶墊上設置一半導體芯片；將該半導體芯片電性連接至該第一電鍍層；于該金屬承載板上形成包覆該半導體芯片與第一電鍍層的封裝材料；從該第二表面移除未被該第二電鍍層與該第三電鍍層所覆蓋的該金屬承載板，而形成多條跡線與多個電性接點；從該第二表面的側形成覆蓋該第二電鍍層、第三電鍍層、封裝材料與金屬承載板的防焊層；以及移除部分該防焊層，以形成外露該第二電鍍層的防焊層開孔。