[發明專利]封裝結構及其制法

有效

• 申請號: 201110229563.4
• 申請日: 2011-08-09
• 公開（公告）號: CN102891124A
• 公開（公告）日: 2013-01-23
• 發明（設計）人: 林邦群;蔡岳穎;陳泳良
• 申請（專利權）人: 矽品精密工業股份有限公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495;H01L23/31;H01L21/60;H01L21/56;H01L23/00
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽

1.一種封裝結構，包括：

置晶墊、多條跡線及多個電性接點，其各自具有相對的第一表面與第二表面，該置晶墊、跡線及電性接點于該第一表面彼此齊平，且該跡線的第二表面凹陷于該置晶墊及電性接點的第二表面；

第一電鍍層，形成于該跡線的第一表面與該電性接點的第一表面上；

第二電鍍層，形成于該電性接點的第二表面與該置晶墊的第二表面上；

第三電鍍層，形成于該跡線的第二表面上；

半導體芯片，設于該置晶墊上，且電性連接至該第一電鍍層；

封裝材料，包覆該半導體芯片、第一電鍍層、跡線的部分側表面與電性接點的部分側表面；以及

防焊層，由該第二表面側覆蓋該第三電鍍層、封裝材料、跡線的部分側表面與電性接點的部分側表面，且具有外露該第二電鍍層的防焊層開孔。

2.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，于該置晶墊形成有連通至該第一表面的置晶凹部，且該半導體芯片設于該置晶凹部中。

3.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，該第三電鍍層的底面與該封裝材料的底面齊平。

4.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，該第三電鍍層的底面凸出于該封裝材料的底面。

5.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，該半導體芯片通過多個焊線電性連接至該第一電鍍層。

6.一種封裝結構的制法，包括：

準備一具有相對的第一表面與第二表面的金屬承載板，該金屬承載板具有置晶墊，于該第一表面上形成第一阻層，該第一阻層具有外露部分該金屬承載板的第一圖案化開口區；

移除該第一圖案化開口區中的該金屬承載板，而構成第一凹部，并定義出跡線凸部與電性接點凸部；

移除該第一阻層；

于該第二表面上形成第二阻層，該第二阻層具有外露部分該金屬承載板的第二圖案化開口區，該第二圖案化開口區的位置對應該跡線凸部；

移除該第二圖案化開口區中的該金屬承載板，而構成第二凹部；

移除該第二阻層；

于該跡線凸部與電性接點凸部的頂面上形成第一電鍍層，并于該第二表面上形成對應該置晶墊與電性接點凸部的第二電鍍層，且于該第二凹部中形成第三電鍍層；

于該置晶墊上設置一半導體芯片；

將該半導體芯片電性連接至該第一電鍍層；

于該金屬承載板上形成包覆該半導體芯片與第一電鍍層的封裝材料；

從該第二表面移除未被該第二電鍍層與該第三電鍍層所覆蓋的該金屬承載板，而形成多條跡線與多個電性接點；

從該第二表面的側形成覆蓋該第二電鍍層、第三電鍍層、封裝材料與金屬承載板的防焊層；以及

移除部分該防焊層，以形成外露該第二電鍍層的防焊層開孔。

7.根據權利要求6所述的封裝結構的制法，其特征在于，移除該第一圖案化開口區中的該金屬承載板還包括于該置晶墊中構成置晶凹部，且該半導體芯片設于該置晶凹部中。

8.根據權利要求6所述的封裝結構的制法，其特征在于，該第三電鍍層的底面與該封裝材料的底面齊平。

9.根據權利要求6所述的封裝結構的制法，其特征在于，該第三電鍍層的底面凸出于該封裝材料的底面。

10.根據權利要求6所述的封裝結構的制法，其特征在于，該半導體芯片通過多個焊線電性連接至該第一電鍍層。

11.一種封裝結構的制法，包括：

準備一具有相對的第一表面與第二表面的金屬承載板，該金屬承載板具有置晶墊；

從該第一表面側移除部分該金屬承載板，以構成第一凹部，并定義出跡線凸部與電性接點凸部；

從該第二表面側移除部分該金屬承載板，以構成第二凹部，該第二凹部的位置對應該跡線凸部；

于該置晶墊上設置一半導體芯片；

將該半導體芯片電性連接至該跡線凸部與電性接點凸部；

于該金屬承載板上形成包覆該半導體芯片、跡線凸部與電性接點凸部的封裝材料；

從該第二表面移除未對應該置晶墊、跡線凸部與電性接點凸部的該金屬承載板，而形成多條跡線與多個電性接點；

從該第二表面的側形成覆蓋該封裝材料與金屬承載板的防焊層；以及

移除部分該防焊層，以形成外露該置晶墊與電性接點的防焊層開孔。