[發(fā)明專利]可有效提升非晶硅薄膜太陽能電池發(fā)電效率的新型制程

無效

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• 申請日: 2011-08-11
• 公開（公告）號: CN102931292A
• 公開（公告）日: 2013-02-13
• 發(fā)明（設計）人: 陳政宏;劉幼海;劉吉人
• 申請（專利權）人: 吉富新能源科技(上海)有限公司
• 主分類號: H01L31/20
• 分類號: H01L31/20
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

所屬技術領域

本發(fā)明關于一種可有效提升非晶硅薄膜太陽能電池發(fā)電效率的新型制程，其目的系將提升非晶硅薄膜太陽能電池的發(fā)電效率。

背景技術

由于能源價格高漲，全球各地皆再尋求替代的綠色能源，非晶硅太陽能電池即是一種將太陽光轉換成電能的有效率的綠色能源。

目前，業(yè)界大多采用傳統(tǒng)非晶硅PIN堆棧結構制程制作太陽能電池，但此方式仍有低發(fā)電效率的缺點存在，其是造成太陽能電池價格過高，無法有效普及化應用于生活中的一大因素。

發(fā)明內容

本發(fā)明主要目的系一種可有效提升非晶硅薄膜太陽能電池發(fā)電效率的新型制程，此技術方法其結構利用P層微晶硅取代傳統(tǒng)的P層非晶硅，并增加一層寬能隙的非晶硅半導體層于P型微晶硅半導體層及本質型半導體層之間，其目的在于能夠獲得更高的發(fā)電效率。

一種可有效提升非晶硅薄膜太陽能電池發(fā)電效率的新型制程，其特征在于，包含了：

一透明玻璃基板；

一第一透明導電層，位于該透明導電層上；

一P型微晶硅半導體層，位于該第一透明導電層上；

一寬能隙非晶硅半導體層，位于該P型維晶半導體層上；

一本質型半導體層，位于該寬能隙非晶硅半導體層上；

一N型非晶硅半導體層，位于該本質型半導體層上；

一第二透明導電層，位于該N型非晶硅半導體層上；

一外透明玻璃基板，位于該第二透明導電層上。

其中，該透明玻璃基板材質選用超高穿透度之玻璃基板，以增加入射光的比例。

其中，該P型微晶硅半導體層，取代傳統(tǒng)的P型非晶硅半導體層。

其中，該寬能隙非晶硅半導體層，為新增加制程，能更有效增加太陽能電池中的電子與電洞的結合。

與傳統(tǒng)非晶硅太陽能電池技術作比較，本發(fā)明具有的有效效益為：

本發(fā)明所使用的新型非晶硅薄膜太陽能電池制程，包含了透明玻璃基板、第一透明導電層、P型微晶硅半導體層、寬能隙非晶硅半導體層、本質型半導體層、N型非晶硅半導體層、第二透明導電層及外透明玻璃基板。利用P型微晶硅半導體層及寬能隙非晶硅半導體層，有效提升電子及電洞對的結合，進而有效提升非晶硅薄膜太陽能電池的效率，并降低生產成本達到符合市場需求的目的。

具體實施方式

茲將本發(fā)明配合附圖，詳細說明如下：

參照圖一，是本發(fā)明可有效提升非晶硅薄膜太陽能電池發(fā)電效率的新型制程的流程圖。

參照圖二，是本發(fā)明非晶硅薄膜太陽能電池的新型結構圖，其中包含了透明玻璃基板1、第一透明導電層2、P型微晶硅半導體層3、寬能隙非晶硅半導體層4、本質型半導體層5、N型非晶硅半導體層6、第二透明導電層7及外透明玻璃基板8。

為了能夠有效提高非晶硅薄膜太陽能電池的效率，其光吸收層依序堆棧如下：P型微晶硅半導體層3、寬能隙非晶硅半導體層4、本質型半導體層5及N型非晶硅半導體層6。當太陽光照射在PN接面時，會有部分原子得到能量，進而形成自由電子，而失去電子的原子將會形成電洞，通過P型及N型半導體分別吸引電子與電洞，把正電及負電分離，因此在PN接面的兩端形成一電位差，接著在導電層上接上電路，使電子可以通過并在PN接面的另一端再次結合電子與電洞對，即可利用導線將電能輸出。

因此，本發(fā)明所使用的P型微晶半導體層3與寬能隙非晶硅半導體層4，其目的皆在提高電子與電洞對的結合效率，當提高電子與電洞對的結合效率，即可獲得更高的發(fā)電效率，并能有效降低生產成本及符合市場需求。

以上說明，對本發(fā)明而言只是說明性的，非限制性的，本領域普通技術人員理解，在不脫離權利要求所限定的精神和范圍的情況下，可作出許多修正、變化或等效，但都將落入本發(fā)明的保護范圍之內。

附圖說明

下面結合附圖和實施例對本發(fā)明進一步說明。

第一圖是本發(fā)明之新型制程的流程方塊示意圖。

第二圖是本發(fā)明之新型結構圖

主要組件符號說明

1...透明玻璃基板

2...第一透明導電層

3...P型微晶硅半導體層

4...寬能隙非晶硅半導體層

5...本質型半導體層

6...N型非晶硅半導體層

7...第二透明導電層

8...外透明玻璃基板