[發明專利]可有效提升非晶硅薄膜太陽能電池發電效率的新型制程無效
| 申請號： | 201110229404.4 | 申請日： | 2011-08-11 |
| 公開（公告）號： | CN102931292A | 公開（公告）日： | 2013-02-13 |
| 發明（設計）人： | 陳政宏;劉幼海;劉吉人 | 申請（專利權）人： | 吉富新能源科技(上海)有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/20 | 分類號： | H01L31/20 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 201707 上海市青*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 有效 提升 非晶硅 薄膜 太陽能電池 發電 效率 新型 | ||
【權利要求書】：
1.一種可有效提升非晶硅薄膜太陽能電池發電效率的新型制程，此技術方法其結構利用P層微晶硅取代傳統的P層非晶硅，并增加一層寬能隙的非晶硅半導體層于P型微晶硅半導體層及本質型半導體層之間，其目的在于能夠獲得更高的發電效率。
2.根據權利要求1所述的一種可有效提升非晶硅薄膜太陽能電池發電效率的新型制程，其中透明玻璃基板材質選用超高穿透度之玻璃基板，以增加入射光的比例。
3.根據權利要求1所述的一種可有效提升非晶硅薄膜太陽能電池發電效率的新型制程，其中該P型微晶硅半導體層，取代傳統的P型非晶硅半導體層，提升光電轉換效率。
4.根據權利要求1所述的一種可有效提升非晶硅薄膜太陽能電池發電效率的新型制程，其中該寬能隙非晶硅半導體層，為新增加制程，能更有效增加太陽能電池中的電子與電洞的結合。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
