[發明專利]半導體器件

無效

• 申請號: 201110228561.3
• 申請日: 2011-08-05
• 公開（公告）號: CN102437133A
• 公開（公告）日: 2012-05-02
• 發明（設計）人: 春日健男;坂田幸治;齋藤猛
• 申請（專利權）人: NEC東金株式會社
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01G9/012
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 酆迅;鄭菊

相關申請的交叉引用

本申請基于通過引用將公開內容全部結合于此的、于2010年8月6日提交的第2010-176888號日本專利申請并且要求對該申請的優先權。

技術領域

本發明涉及一種半導體器件并且更具體地涉及一種包括與半導體芯片組合的片狀固體電解電容器的半導體器件。

背景技術

近年來已經公開了若干在包括LSI的半導體芯片的接地電路與電源電路之間提供電容器以穩定地供應電功率的技術。在半導體封裝中包括的并且在與包括LSI的半導體芯片的電路接近的位置布置的旁路電容器實現更短的布線長度、減少的等效串聯電感(ESL)并且提供高效和穩定操作的LSI。另外，通過在半導體封裝中裝配旁路電容器可以減少布置于母板上的元件數目。

例如在公開號為2005-294291的日本待審專利申請中公開了一種包括半導體芯片、固體電解電容器和鍵合接線的半導體器件。圖10示出了如下橫截面圖，該橫截面圖示出了有關復雜電子部件的一個例子。半導體器件包括布置和附著到半導體芯片11上的固體電解電容器25。連接半導體芯片11和固體電解電容器25的技術包括連接陽極焊盤21和陰極焊盤22的方法和如下方法，該方法通過鍵合接線連接通過對形成于絕緣樹脂的上表面中的孔進行導體鍍制加工以便到達固體電解電容器25的陽極構件來形成的陽極端子(陽極通孔16)的端表面與在基底20的上表面中形成的焊區(陽極焊盤21)。另外盡管上文已經關于陽極部分進行了描述，但是可以通過類似方法連接固體電解電容器的陰極導電層。

根據在公開號為2005-294291的日本待審專利申請中公開的半導體器件，鍵合接線與固體電解電容器的連接位置是在固體電解電容器的陽極構件與通過對孔進行導體鍍制加工來獲得的陽極端子之間的連接部分。因此，鍵合工具在接線鍵合時引起的重量或者振動可能破壞在緊接于接線鍵合部分下面的片狀固體電解電容器的陽極構件與通過導體鍍制來形成的陽極端子之間的連接部分，這可能引起導電故障。因此存在連接可靠性的問題。

發明內容

簡言之，本發明的目的在于提供一種可靠性高的半導體器件。

本發明提供用于解決前述問題的手段并且下文將描述其示例配置。

本發明的第一示例方面是一種半導體器件，該半導體器件包括：引線框，包括島狀物、電源引線和GND引線；片狀固體電解電容器，裝配于島狀物上；半導體芯片，裝配于固體電解電容器上，半導體芯片的平面面積小于固體電解電容器的平面面積；連接半導體芯片和固體電解電容器的鍵合接線；以及連接固體電解電容器和電源引線或者固體電解電容器和GND引線的鍵合接線，其中半導體器件包括在焊接在固體電解電容器的陽極部分上的陽極板與陽極部分之間的連接部分和在陽極板與鍵合接線之間的連接部分，在陽極板與陽極部分之間的連接部分和在陽極板與鍵合接線之間的連接部分在豎直投影時未重疊。

本發明的第二示例方面是一種半導體器件，該半導體器件包括：引線框，包括島狀物、電源引線和GND引線；片狀固體電解電容器，裝配于島狀物上；半導體芯片，經過基底裝配于固體電解電容器上，半導體芯片的平面面積小于固體電解電容器的平面面積；經過基底連接半導體芯片和固體電解電容器的鍵合接線；以及經過基底連接固體電解電容器和電源引線或者固體電解電容器和GND引線的鍵合接線，其中半導體器件包括在焊接在固體電解電容器的陽極部分上的陽極板與陽極部分之間的連接部分和在基底與鍵合接線之間的連接部分，在陽極板與陽極部分之間的連接部分和在基底與鍵合接線之間的連接部分在豎直投影時未重疊。

根據本發明，焊接在固體電解電容器的陽極部分上的陽極板與陽極部分的連接部分和在陽極板與鍵合接線之間的連接部分或者在基底與鍵合接線之間的連接部分在它們豎直投影時布置于不同位置，由此能夠防止由于鍵合工具的重量或者振動所引起的影響而出現連接故障或者導電故障。

根據本發明，當通過接線鍵合來連接固體電解電容器的陽極部分和半導體芯片時，未緊接于在鍵合接線與陽極板或者基底之間的連接部分下面提供焊接在固體電解電容器的陽極部分上的陽極板的連接部分，這意味著它們在豎直投影時連接于不同位置。這防止在固體電解電容器的陽極部分與陽極板之間的連接部分損壞(該損壞引起導電故障)并且實現制造可靠性高的半導體器件。

從下文給出的具體描述和僅通過示例給出、因此并不視為限制本發明的附圖中將變得更完全理解本發明的上述和其它目的、特征及優點。

附圖說明

圖1是示出了根據本發明一個示例實施例和第一例子的半導體器件的涂覆樹脂的透視平面圖；