[發(fā)明專利]一種新型的常壓等離子體自由基清洗噴槍進氣方式在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110228262.X | 申請日: | 2011-08-10 |
| 公開(公告)號: | CN102931050A | 公開(公告)日: | 2013-02-13 |
| 發(fā)明(設計)人: | 王守國;賈少霞;趙玲利 | 申請(專利權)人: | 中國科學院微電子研究所 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00;B08B7/00;H05H1/30 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 100029 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 新型 常壓 等離子體 自由基 清洗 噴槍 方式 | ||
1.一種新型的常壓等離子體自由基清洗噴槍進氣方式,由三層隔板組成,噴槍上端為進氣口,下端為噴口,周圍用金屬板密閉,等離子體放電電極由射頻電極和接地電極組成,噴槍等離子放電對進氣均勻性要求嚴格,本發(fā)明設計的噴槍進氣方式以降低氣流沖擊力為前提,使氣體均勻進入噴槍放電縫隙,保證放電均勻穩(wěn)定,其特征在于:進氣方式由三層金屬板組成,三層隔板不同位置開縫隙,形成縫隙交錯間隔的格局,當工作氣體進入噴槍后,先通過第一層隔板,第一層隔板兩側開狹縫,氣流在第一層隔板的阻擋下,沖擊力下降,并從兩側縫隙流出,第二層隔板中間開狹縫,從第一層隔板進入的工作氣體被第二層隔板阻擋,形成渦流,沖擊力再次下降,氣流流速逐漸均勻,第三層隔板與第一層隔板一樣,兩側開狹縫,氣流被第三層隔板均勻分流到兩側流出進氣系統(tǒng),進入射頻電極與接地電極之間的放電區(qū)域。
2.如權利1所述的常壓等離子體自由基清洗噴槍進氣方式,其特征在于:由三層不同位置開縫隙的金屬隔板組成,第一層隔板和第三層隔板兩側各開0.5mm的縫隙,第二層隔板中間開1mm的縫隙,第一層和第二層隔板作用是降低氣流沖擊力,第三層隔板的作用是均勻分流工作氣體。
3.如權利1所述的常壓等離子體自由基清洗噴槍進氣方式,其特征在于:三層隔板的制作簡單,另外由于隔板采用金屬材料,不會對放電工作氣體造成有機物污染。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





