[發(fā)明專利]一種CVD反應(yīng)腔體清潔方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110227478.4
• 申請日: 2011-08-09
• 公開（公告）號: CN102921680A
• 公開（公告）日: 2013-02-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 趙強(qiáng);劉長安;陶晟;周軍;李文靜
• 申請（專利權(quán)）人: 無錫華潤上華科技有限公司
• 主分類號: B08B9/00
• 分類號: B08B9/00
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 常亮;李辰

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制作工藝技術(shù)領(lǐng)域，更具體的說是涉及一種CVD反應(yīng)腔體清潔方法。

背景技術(shù)

化學(xué)氣相淀積(CVD，Chemical?Vapor?Desposition)是通過氣體混合的化學(xué)反應(yīng)在硅片表面沉積一層固體膜的工藝。隨著半導(dǎo)體工業(yè)的發(fā)展，利用化學(xué)氣相淀積技術(shù)生成薄膜材料在半導(dǎo)體工業(yè)中也有著廣泛的應(yīng)用。

在進(jìn)行化學(xué)氣相淀積的工藝工程中，隨著反應(yīng)的進(jìn)行在反應(yīng)腔體內(nèi)會(huì)產(chǎn)生一些雜質(zhì)微粒。如果不能將反應(yīng)腔體內(nèi)的雜質(zhì)顆粒清除干凈，就可能會(huì)影響CVD的制作工藝。

隨著半導(dǎo)體工藝的發(fā)展，薄膜生產(chǎn)速率逐漸提高，產(chǎn)量的不斷增大，與此同時(shí)反應(yīng)腔體內(nèi)的雜質(zhì)顆粒也相應(yīng)的增多，而現(xiàn)有清潔CVD反應(yīng)腔體的方法清潔反應(yīng)腔體后，反應(yīng)腔體內(nèi)的雜質(zhì)顆粒仍較多，不能滿足半導(dǎo)體工藝對精細(xì)度的要求。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本發(fā)明提供一種CVD反應(yīng)腔體清潔方法，該方法對反應(yīng)腔體的清潔力度較強(qiáng)，能減少反應(yīng)腔體內(nèi)的雜質(zhì)顆粒的數(shù)量。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種CVD反應(yīng)腔體清潔方法，包括：

A、按照正常清潔過程中所需的溫度和壓力范圍，設(shè)置CVD反應(yīng)腔體的溫度參數(shù)和壓力參數(shù)；

B、向所述反應(yīng)腔體內(nèi)通入清潔氣體，所述清潔氣體的流量由正常清潔時(shí)所需流量逐漸增大至預(yù)設(shè)流量；

C、通入預(yù)設(shè)時(shí)間的所述清潔氣體后，抽去反應(yīng)腔體內(nèi)的所述清潔氣體，以清除所述反應(yīng)腔體內(nèi)雜質(zhì)顆粒；

D、重復(fù)步驟B和C，直至將所述反應(yīng)腔體中的雜質(zhì)清潔干凈；

其中，在通入所述清潔氣體的過程中，保持所述反應(yīng)腔體內(nèi)的溫度和壓力的變化范圍在預(yù)設(shè)誤差范圍內(nèi)。

優(yōu)選的，所述清潔氣體為氮?dú)狻?/p>

優(yōu)選的，所述通入預(yù)設(shè)時(shí)間的所述清潔氣體的過程具體為：

以正常清潔時(shí)所需的流量通入清潔氣體，將通入的所述清潔氣體的流量逐漸增大至預(yù)設(shè)流量，并繼續(xù)以所述預(yù)設(shè)流量向反應(yīng)腔體內(nèi)通入清潔氣體直至通入清潔氣體的時(shí)間達(dá)到預(yù)設(shè)時(shí)間。

優(yōu)選的，所述清潔氣體的流量由正常清潔時(shí)所需的流量逐漸增大到預(yù)設(shè)流量的時(shí)間為5至6秒。

優(yōu)選的，所述預(yù)設(shè)時(shí)間為20秒至30秒。

優(yōu)選的，重復(fù)步驟B和C的次數(shù)為5至6次。

優(yōu)選的，通入清潔氣體的過程中，所述反應(yīng)腔體內(nèi)的溫度的浮動(dòng)范圍在±3°內(nèi)，所述反應(yīng)腔體內(nèi)的壓力浮動(dòng)范圍在±10mT。

優(yōu)選的，當(dāng)對采用MOCVD工藝的反應(yīng)腔體進(jìn)行清潔時(shí)，反應(yīng)腔體內(nèi)的溫度保持在450±3°內(nèi)，壓力參數(shù)為保持在3000±10mT內(nèi)。

優(yōu)選的，當(dāng)對采用MOCVD工藝的反應(yīng)腔體進(jìn)行清潔時(shí)，正常清潔時(shí)所需的清潔氣體的流量為500sccm；

所述預(yù)設(shè)流量大于500sccm。

優(yōu)選的，所述預(yù)設(shè)流量為900sccm。

經(jīng)由上述的技術(shù)方案可知，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明公開提供了一種CVD反應(yīng)腔體清潔方法，在設(shè)定的溫度參數(shù)和壓力參數(shù)下，向反應(yīng)腔體內(nèi)通入清潔氣體的流量由正常清潔時(shí)所需的流量逐漸增大至預(yù)設(shè)流量，在通入預(yù)設(shè)時(shí)間的清潔氣體后，抽去反應(yīng)腔體內(nèi)的清潔氣體，并重復(fù)向反應(yīng)腔體內(nèi)通入清潔氣體和抽去清潔氣體的步驟，以清除反應(yīng)腔體內(nèi)的雜質(zhì)微粒。由于本發(fā)明在通入清潔氣體時(shí)，清潔氣體的流量是由正常清潔時(shí)所需的流量逐漸增大至預(yù)設(shè)流量，清潔氣體的流量逐漸增大，對反應(yīng)腔體內(nèi)部附著的雜質(zhì)顆粒的沖擊力逐漸增大，增加了清潔力度。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)提供的附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明一種CVD反應(yīng)腔體清潔方法的一個(gè)實(shí)施例的步驟流程圖；

圖2為本發(fā)明一種CVD反應(yīng)腔體清潔方法的另一實(shí)施例的步驟流程圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

現(xiàn)有技術(shù)中清潔CVD反應(yīng)腔體內(nèi)生成的雜質(zhì)顆粒時(shí)，不能徹底的清除反應(yīng)腔體內(nèi)雜質(zhì)顆粒。