[發明專利]一種CVD反應腔體清潔方法無效
| 申請號： | 201110227478.4 | 申請日： | 2011-08-09 |
| 公開（公告）號： | CN102921680A | 公開（公告）日： | 2013-02-13 |
| 發明（設計）人： | 趙強;劉長安;陶晟;周軍;李文靜 | 申請（專利權）人： | 無錫華潤上華科技有限公司 |
| 主分類號： | B08B9/00 | 分類號： | B08B9/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮;李辰 |
| 地址： | 214028 江蘇省無*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 cvd 反應 清潔 方法 | ||
1.一種CVD反應腔體清潔方法，其特征在于，包括：
A、按照正常清潔過程中所需的溫度和壓力范圍，設置CVD反應腔體的溫度參數和壓力參數；
B、向所述反應腔體內通入清潔氣體，所述清潔氣體的流量由正常清潔時所需流量逐漸增大至預設流量；
C、通入預設時間的所述清潔氣體后，抽去反應腔體內的所述清潔氣體，以清除所述反應腔體內雜質顆粒；
D、重復步驟B和C，直至將所述反應腔體中的雜質清潔干凈；
其中，在通入所述清潔氣體的過程中，保持所述反應腔體內的溫度和壓力的變化范圍在預設誤差范圍內。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述清潔氣體為氮氣。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述通入預設時間的所述清潔氣體的過程具體為：
以正常清潔時所需的流量通入清潔氣體，將通入的所述清潔氣體的流量逐漸增大至預設流量，并繼續以所述預設流量向反應腔體內通入清潔氣體直至通入清潔氣體的時間達到預設時間。
4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述清潔氣體的流量由正常清潔時所需的流量逐漸增大到預設流量的時間為5至6秒。
5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述預設時間為20秒至30秒。
6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，重復步驟B和C的次數為5至6次。
7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，通入清潔氣體的過程中，所述反應腔體內的溫度的浮動范圍在±3°內，所述反應腔體內的壓力浮動范圍在±10mT。
8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，當對采用MOCVD工藝的反應腔體進行清潔時，反應腔體內的溫度保持在450±3°內，壓力參數為保持在3000±10mT內。
9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，當對采用MOCVD工藝的反應腔體進行清潔時，正常清潔時所需的清潔氣體的流量為500sccm；
所述預設流量大于500sccm。
10.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，所述預設流量為900sccm。
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