[發明專利]TFT像素單元

有效

• 申請號: 201110226020.7
• 申請日: 2011-08-08
• 公開（公告）號: CN102338955A
• 公開（公告）日: 2012-02-01
• 發明（設計）人: 康志聰
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368;H01L29/786
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300
• 代理人: 歐陽啟明

【技術領域】

本發明是有關于一種液晶面板的像素單元，特別是有關于一種具有縱向結構的TFT像素單元。

【背景技術】

請參考圖1所示，是現有TFT(thin-film?transistor，薄膜晶體管)像素單元的結構示意圖。一般來說，TFT像素單元包含掃描線90、資料線91、像素電極(圖中未示)及開關單元93，所述開關單元93包含柵極930、半導體層931、漏極932以及源極933。所述柵極930是所述掃描線90的一部分。所述半導體層931設置于所述柵極930上。所述漏極932則自所述資料線91一側延伸出而配置于所述半導體層931上。所述源極933則配置于所述半導體層931上并連接所述像素電極。對柵極930施加適當電壓，即可在半導體層931形成電子通道，而使漏極932與源極933之間形成導通狀態，達到開關的作用，此時，連接源極933的像素電極即可被充電。從圖1可知，所述漏極932與所述源極933是配置于所述半導體層931的頂面。

快速的充電能力及高開口率(aperture?ratio)是一般TFT液晶顯示器對像素單元的設計需求。就現有技術而言，一般可藉由減少通道寬度(如圖1的C)或者增大源極與漏極之間的通道范圍，來提高像素單元的充電能力。

然而，減少通道寬度通常需要輔以特殊光罩及光阻的配合，制作設計困難。而增大通道范圍則會造成開口率的損失，使TFT液晶顯示器的光穿透率下降。

故，有必要提供一種TFT像素單元，以解決現有技術所存在的問題。

【發明內容】

有鑒于現有技術的缺點，本發明的主要目的在于提供一種TFT像素單元，其通過縱向的TFT像素結構，減少了開口率的損失。

為達成本發明的前述目的，本發明提供一種TFT像素單元，包含：

一掃描線，具有一內側面；

一第一絕緣層，設于所述掃描線上并包覆所述內側面；

一資料線，與所述掃描線彼此絕緣交錯而共同定義一像素區；

一漏極段，自所述資料線一側延伸出而配置于第一絕緣層上；

一半導體層，設置于所述源極段的頂面；

一源極段，設置于所述半導體層的頂面，所述漏極段、半導體層與所述源極段鄰近所述掃描線的內側面；以及

一像素電極，設置所述像素區內并連接所述源極段。

在本發明的一實施例中，所述源極段的寬度與所述半導體層的寬度相等。

在本發明的一實施例中，所述TFT像素單元還包含一共電極線與一第二電極，其中所述共電極線是隔著所述第一絕緣層絕緣地配置于所述像素電極底下，并與所述掃描線平行，且與所述資料線絕緣交錯；所述第二電極是對應所述共電極線的位置而設于所述第一絕緣層上，并連接所述像素電極。

在本發明的一實施例中，所述TFT像素單元還包含一第二絕緣層，其中所述第二絕緣層是覆蓋所述源極段、所述半導體層、所述漏極段及所述第二電極，并具有一對應所述源極段的第一穿孔，所述像素電極是通過所述第一穿孔連接所述源極段。

在本發明的一實施例中，所述第二絕緣層還具有一對應所述第二電極的第二穿孔，所述像素電極是通過所述第二穿孔連接所述第二電極。

在本發明的一實施例中，所述半導體層包含非晶硅層及n型非晶硅層。

本發明主要是將所述資料線、漏極段、半導體層與源極段構成一縱向堆疊結構的TFT開關，減少了開口率的損失。

【附圖說明】

圖1是現有TFT像素單元的局部平面圖。

圖2是本發明TFT像素單元一較佳實施例的局部平面圖。

圖3是圖2沿A-A’的剖視圖。

【具體實施方式】

為讓本發明上述目的、特征及優點更明顯易懂，下文特舉本發明較佳實施例，并配合附圖，作詳細說明如下。再者，本發明所提到的方向用語，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「內」、「外」、「側面」等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用以說明及理解本發明，而非用以限制本發明。

請參考圖2及圖3所示，圖2及圖3分別為本發明TFT像素單元一較佳實施例的局部平面圖及剖視圖。本發明的TFT像素單元是應用于薄膜晶體管液晶顯示器，包含有一掃描線10、一第一絕緣層11、一資料線12、一漏極段13、一半導體層14、一源極段15以及一像素電極16。

所述掃描線10是導電材料所構成，具有一內側面100。