[發明專利]TFT像素單元有效
| 申請號： | 201110226020.7 | 申請日： | 2011-08-08 |
| 公開（公告）號： | CN102338955A | 公開（公告）日： | 2012-02-01 |
| 發明（設計）人： | 康志聰 | 申請（專利權）人： | 深圳市華星光電技術有限公司 |
| 主分類號： | G02F1/1362 | 分類號： | G02F1/1362;G02F1/1368;H01L29/786 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 歐陽啟明 |
| 地址： | 518132 廣東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | tft 像素 單元 | ||
1.一種TFT像素單元，其特征在于：所述TFT像素單元包含：
一掃描線，具有一內側面；
一第一絕緣層，設于所述掃描線上并包覆所述內側面；
一資料線，與所述掃描線彼此絕緣交錯而共同定義一像素區；
一漏極段，自所述資料線一側延伸出而配置于第一絕緣層上；
一半導體層，設置于所述源極段的頂面；
一源極段，設置于所述半導體層的頂面，所述漏極段、半導體層
與所述源極段鄰近所述掃描線的內側面；以及
一像素電極，設置所述像素區內并連接所述源極段。
2.如權利要求1所述的TFT像素單元，其特征在于：所述源極段的寬度與所述半導體層的寬度相等。
3.如權利要求1所述的TFT像素單元，其特征在于：所述TFT像素單元還包含一共電極線與一第二電極，其中所述共電極線是隔著所述第一絕緣層絕緣地配置于所述像素電極底下，并與所述掃描線平行，且與所述資料線絕緣交錯；所述第二電極是對應所述共電極線的位置而設于所述第一絕緣層上，并連接所述像素電極。
4.如權利要求3所述的TFT像素單元，其特征在于：所述TFT像素單元還包含一第二絕緣層，其中所述第二絕緣層是覆蓋所述漏極段、所述半導體層、所述源極段及所述第二電極，并具有一對應所述源極段的第一穿孔，所述像素電極是通過所述第一穿孔連接所述源極段。
5.如權利要求4所述的TFT像素單元，其特征在于：所述第二絕緣層還具有一對應所述第二電極的第二穿孔，所述像素電極是通過所述第二穿孔連接所述第二電極。
6.如權利要求1所述的TFT像素單元，其特征在于：所述半導體層包含非晶硅層及n型非晶硅層。
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