[發明專利]新型IC封裝制造工藝

無效

• 申請號: 201110225535.5
• 申請日: 2011-08-08
• 公開（公告）號: CN102290354A
• 公開（公告）日: 2011-12-21
• 發明（設計）人: 陳勝華
• 申請（專利權）人: 慈溪市永旭豐泰電子科技有限公司
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L21/60;H01L21/56
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及一種IC封裝技術，尤其涉及一種新型的IC封裝工藝。

背景技術

IC封裝，就是指把硅片上的電路管腳，用導線接引到外部接頭處，以便與其它器件連接，封裝形式是指安裝半導體集成電路芯片用的外殼。它不僅起著安裝、固定、密封、保護芯片及增強電熱性能等方面的作用，而且還通過芯片上的接點用導線連接到封裝外殼的引腳上，這些引腳又通過印刷電路板上的導線與其他器件相連接，從而實現內部芯片與外部電路的連接。因為芯片必須與外界隔離，以防止空氣中的雜技對芯片電路的腐蝕而造成電氣性能下降。

IC封裝的種類很多，達70多種，就現階段在PCB業內直接接觸的也非常之多，目前一種名稱叫蓋板模給封裝PLCC非常常見，而要做好這類封裝模式其關鍵點在于IC載板的制造方法，目前所使用的IC封裝載板的制造方法由于設計步驟不合理，不能滿足線條精度要求高、蝕刻線條光滑、蓋板壓合不變形等高標準要求。

發明內容

本發明的目的在于提供一種新型的IC封裝制造工藝，該工藝步驟嚴謹，方法科學，解決了現有技術中存在的IC封裝由于蝕刻線條不光滑蓋板易變行等問題導致封裝精度不高和密封效果不佳的問題。

為解決上述問題，本發明所采取的技術方案是：

一種新型IC封裝制造工藝，包括依次進行的底片制造工藝、蓋板制造工藝以及底片和蓋板的封裝工藝，

所述的底片制造工藝包括：

步驟1.1，底片制作；

步驟1.2，開料；

步驟1.3，鉆孔，即在底片上沖鉆基準孔；

步驟1.4，沉銅，即在底片的基材表面和基準孔上沉上一層化學薄銅；

步驟1.5，加厚銅，即再一次沉銅，以使銅層厚度增加；

步驟1.6，圖形轉移；

步驟1.7，圖形電鍍；

步驟1.8，退膜，

步驟1.9，半孔加工；

步驟1.10，蝕刻；

步驟1.11，退錫；

步驟1.12，阻焊；

步驟1.13，化金，完成底片的制作；

所述的蓋板制造工藝包括：

步驟2.1，蓋板備料；

步驟2.2，蓋板開料；

步驟2.3，背膠；

步驟2.4，機加工；

步驟2.5，清洗，完成蓋板的制作；

所述的底片和蓋板的封裝工藝包括：

步驟3.1，壓合；

步驟3.2，烘烤；

步驟3.3，清洗，完成封裝工藝。

為使本發明起到更好的技術效果：

更進一步的技術方案是上述的步驟1.11完成后需對底片進行第一次檢測，所述的步驟1.13對底片進行第二次檢測。

更進一步的技術方案是上述的步驟3.3完成后對成品進行終檢，終檢包括FQA和物理測試。

更進一步的技術方案是上述的步驟1.1中在進行光繪底片時須進行工藝補償，工藝補償須依據測量不同厚度Cu的側蝕來確定，所述的底片為正片。其中線寬補償方法是：公式[損失量(MIL)＝基銅(MIL)/1.2]，例如：35UM基銅其損失量為35/25.4*1.2＝1.2miL，其損失量為線寬的損失量+補償量，該線寬可以在要求范圍內調整。

更進一步的技術方案是上述的步驟2.1中蓋板的材料使用高TG雙面板材，并將雙面板材的銅皮蝕掉。

更進一步的技術方案是上述的步驟1.6中包括以下子步驟：

步驟1.6.1，磨板；

步驟1.6.2，對Cu面的處理運用化學微蝕處理；

步驟1.6.3，烘干后立即進行貼膜；

步驟1.6.4，顯影后，用刻度放大鏡測量線及間隙是否達到圖紙要求，保證線條光滑無鋸齒。

更進一步的技術方案是上述的步驟1.9中，半孔加工采用正反兩刀銑槽，行刀速度控制在1-2米/分鐘。

更進一步的技術方案是上述的步驟1.10中，蝕刻采用CuCl₂溶液進行腐蝕，同時將圖形BGA面朝下以減少側蝕量。

更進一步的技術方案是上述的步驟3.1中，壓合溫度控制在175攝氏度，時間控制在5分鐘，壓合完成后，再用平整鋼板夾緊，用150攝氏度溫度烘烤60分鐘，冷卻后再插架，以免基板變形。

采用上述技術方案所產生的有益效果在于：制造出來的線條精度高，蝕刻后無殘銅且線條光滑，蓋板不變形，無嚴重溢膠，蓋板與主板的結合力達到10KG以上，機械加工后基板無分層，半孔無毛刺，外形邊緣整齊，無粉塵。

附圖說明