[發(fā)明專利]新型IC封裝制造工藝

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110225535.5
• 申請日: 2011-08-08
• 公開（公告）號: CN102290354A
• 公開（公告）日: 2011-12-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳勝華
• 申請（專利權(quán)）人: 慈溪市永旭豐泰電子科技有限公司
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L21/60;H01L21/56
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1.一種新型IC封裝制造工藝，其特征在于：包括依次進(jìn)行的底片制造工藝、蓋板制造工藝以及底片和蓋板的封裝工藝，

所述的底片制造工藝包括：

步驟1.1，底片制作；

步驟1.2，開料；

步驟1.3，鉆孔，即在底片上沖鉆基準(zhǔn)孔；

步驟1.4，沉銅，即在底片的基材表面和基準(zhǔn)孔上沉上一層化學(xué)薄銅；

步驟1.5，加厚銅，即再一次沉銅，以使銅層厚度增加；

步驟1.6，圖形轉(zhuǎn)移；

步驟1.7，圖形電鍍；

步驟1.8，退膜，

步驟1.9，半孔加工；

步驟1.10，蝕刻；

步驟1.11，退錫；

步驟1.12，阻焊；

步驟1.13，化金，完成底片的制作；

所述的蓋板制造工藝包括：

步驟2.1，蓋板備料；

步驟2.2，蓋板開料；

步驟2.3，背膠；

步驟2.4，機(jī)加工；

步驟2.5，清洗，完成蓋板的制作；

所述的底片和蓋板的封裝工藝包括：

步驟3.1，壓合；

步驟3.2，烘烤；?

步驟3.3，清洗，完成封裝工藝。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型IC封裝制造工藝，其特征在于：所述的步驟1.11完成后需對底片進(jìn)行第一次檢測，所述的步驟1.13對底片進(jìn)行第二次檢測。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型IC封裝制造工藝，其特征在于：所述的步驟3.3完成后對成品進(jìn)行終檢。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型IC封裝制造工藝，其特征在于：所述的步驟1.1中在進(jìn)行光繪底片時(shí)須進(jìn)行工藝補(bǔ)償，工藝補(bǔ)償須依據(jù)測量不同厚度Cu的側(cè)蝕來確定，所述的底片為正片。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IC封裝載板的制造工藝，其特征在于：所述的步驟2.1中蓋板的材料使用高TG雙面板材，并將雙面板材的銅皮蝕掉。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型IC封裝制造工藝，其特征在于：所述的步驟1.6中包括以下子步驟：

步驟1.6.1，磨板；

步驟1.6.2，對Cu面的處理運(yùn)用化學(xué)微蝕處理；

步驟1.6.3，烘干后立即進(jìn)行貼膜；

步驟1.6.4，顯影后，用刻度放大鏡測量線及間隙是否達(dá)到圖紙要求，保證線條光滑無鋸齒。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型IC封裝制造工藝，其特征在于：所述的步驟1.9中，半孔加工采用正反兩刀銑槽，行刀速度控制在1-2米/分鐘。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型IC封裝制造工藝，其特征在于：所述的步驟1.10中，蝕刻采用CuCl₂溶液進(jìn)行腐蝕，同時(shí)將圖形BGA面朝下以減少側(cè)蝕量。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型IC封裝制造工藝，其特征在于：所述的步驟3.1中，壓合溫度控制在175攝氏度，時(shí)間控制在5分鐘；壓合完成后，再用平整鋼板夾緊，用150攝氏度溫度烘烤60分鐘，冷卻后再插架，以免基板變形。?