[發明專利]多晶硅生產中高含氯離子廢水的處理方法無效
| 申請號: | 201110225435.2 | 申請日: | 2011-08-08 |
| 公開(公告)號: | CN102351362A | 公開(公告)日: | 2012-02-15 |
| 發明(設計)人: | 羅成;楊遠輝;范協誠;李剛;林沖;向懷果 | 申請(專利權)人: | 天威四川硅業有限責任公司 |
| 主分類號: | C02F9/10 | 分類號: | C02F9/10;C01D3/04;C02F101/12 |
| 代理公司: | 成都天嘉專利事務所(普通合伙) 51211 | 代理人: | 毛光軍 |
| 地址: | 611430 四*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 多晶 生產 中高 氯離子 廢水 處理 方法 | ||
技術領域
本發明涉及多晶硅生產中對尾氣及殘液的處理工藝,特別是對產生的高濃度的含氯廢水的處理方法。
背景技術
在多晶硅過程中會產生含氯離子的廢水。目前多晶硅行業中,對于含氯離子廢水的處理主要有以下幾種工藝路線:
1、對多晶硅生產中產生的尾氣及殘液采用一定濃度的石灰乳液作為噴淋液進行淋洗,從而產生大量高濃度的含有氯化鈣的廢水。對該廢水的處理首先是進入板框壓濾機進行初次過濾,濾液再通過加入石灰乳液或鹽酸調節pH值至中性,之后再次進入板框壓濾機進行過濾,得到澄清的濾液后直接排放。
2、對多晶硅生產中產生的尾氣及殘液采用一定濃度的石灰乳液作為噴淋液進行淋洗,從而產生大量高濃度的含有氯化鈣的廢水。對該廢水的處理首先是進入板框壓濾機進行初次過濾,濾液再通過加入石灰乳液或鹽酸調節pH值至中性,之后再次進入板框壓濾機進行過濾,得到澄清的濾液進入三效蒸發系統進行蒸發析出氯化鈣晶體,再烘干。
3、對多晶硅生產中產生的尾氣及殘液采用一定濃度的氫氧化鈉溶液作為噴淋液進行淋洗,從而產生大量高濃度的含有氯化鈉的廢水。對該廢水的處理首先通過加入氫氧化鈉溶液或鹽酸調節pH值至中性,加入聚合氯化鋁混凝劑和聚丙烯酰胺絮凝劑,之后清液和沉淀分離,得到澄清度和pH值達標的氯化鈉溶液,直接排放。
????4、對多晶硅生產中產生的尾氣及殘液采用一定濃度的氫氧化鈉溶液作為噴淋液進行淋洗,從而產生大量高濃度的含有氯化鈉的廢水。對該廢水的處理首先通過加入氫氧化鈉溶液或鹽酸調節pH值至中性,加入聚合氯化鋁混凝劑和聚丙烯酰胺絮凝劑,之后清液和沉淀分離,得到澄清度和pH值達標的氯化鈉溶液進入薄膜蒸發器進行蒸發結晶處理,最后得到氯化鈉晶體。
????上述四種工藝路線各自存在相應的問題。
1、第一種工藝存在的問題主要有:
①?對壓濾機的損壞較大;
②?電能消耗較大;
③?具有較大的環保風險。
????其原因主要是:原廢水可能存在酸堿性,直接進入板框壓濾機會造成濾布和濾板的腐蝕;反復壓濾,消耗能源;高含氯離子廢水直接排放影響環境。
????2、第二種工藝存在的問題主要有:
①?對壓濾機的損壞較大;
②?能耗大,成本高。
????其原因主要是:原廢水可能存在酸堿性,直接進入板框壓濾機會造成濾布和濾板的腐蝕;反復壓濾且蒸發結晶后續設備多,能耗大。
????3、第三種工藝存在的問題主要有:
①?能耗大,成本較高;
②?具有較大的環保風險。
????其原因主要是:?將低濃度含鹽廢水反復蒸發直至結晶,消耗較大能量;高含氯離子廢水直接排放影響環境。
????4、第四種工藝存在的問題主要有:
①?能耗大,成本較高。
其原因主要是:?反復蒸發直至結晶,消耗能量較大。
發明內容
本發明為解決上述技術問題,提供了在多晶硅生產中,一種處理高含氯廢水的方法,能使處理后的廢水能盡可能的回用或達標外排,并產生高品質的副產物-氯化鈉鹽。
本發明的技術方案如下:
多晶硅生產中高含氯離子廢水的處理方法,其特征在于處理步驟為:
A.對聚集在水池內的高含氯離子廢水進行預處理得到澄清度和pH值達標的氯化鈉溶液和沉淀;具體指標為SS<25mg/l,pH在6~9。
B.將步驟A得到的氯化鈉溶液進行濃縮,使氯化鈉溶液的濃度成倍的提升,得到40%~50%的氯化鈉濃縮液,50%~60%的回用水;并將沉淀進行過濾,過濾后得到餅狀的廢渣,主要成分為二氧化硅、硅酸鈉、偏硅酸鈉、氯化鈉等;
C.將步驟B得到的氯化鈉濃縮液進行蒸發,當有晶體析出時將飽和氯化鈉溶液進行冷卻結晶得到氯化鈉固液混合物;
D.將步驟C得到的含有結晶體的氯化鈉固液混合物進行過濾和吹干,過濾出氯化鈉晶體顆粒,形成氯化鈉鹽,濾液再循環蒸發。
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