[發明專利]多晶硅生產中高含氯離子廢水的處理方法

無效

• 申請號: 201110225435.2
• 申請日: 2011-08-08
• 公開（公告）號: CN102351362A
• 公開（公告）日: 2012-02-15
• 發明（設計）人: 羅成;楊遠輝;范協誠;李剛;林沖;向懷果
• 申請（專利權）人: 天威四川硅業有限責任公司
• 主分類號: C02F9/10
• 分類號: C02F9/10;C01D3/04;C02F101/12
• 代理公司: 成都天嘉專利事務所(普通合伙) 51211
• 代理人: 毛光軍

1.多晶硅生產中高含氯離子廢水的處理方法，其特征在于處理步驟為：

A.對聚集在水池內的高含氯離子廢水進行預處理得到澄清度和pH值達標的氯化鈉溶液和沉淀，具體指標為SS<25mg/l，pH在6~9；

B.將步驟A得到的氯化鈉溶液進行濃縮，得到40%~50%的氯化鈉濃縮液及50%~60%的回用水；并將沉淀進行過濾，過濾后得到餅狀的廢渣；

C.將步驟B得到的氯化鈉濃縮液進行蒸發，當有晶體析出時將飽和氯化鈉溶液進行冷卻結晶得到氯化鈉固液混合物；

D．將步驟C得到的含有結晶體的氯化鈉固液混合物進行過濾和吹干，過濾出氯化鈉晶體顆粒，形成氯化鈉鹽，濾液再循環蒸發。

2.根據權利要求1所述的多晶硅生產中高含氯離子廢水的處理方法，其特征在于：所述預處理是指：當水池內的高含氯離子廢水為酸性時，首先在高含氯離子廢水中加入濃度為30%~32%的堿液進行中和處理，加入量由堿液計量泵和pH計進行聯鎖控制，確保廢水中和后的pH值在6~9；當水池內的高含氯離子廢水為堿性時，首先在高含氯離子廢水中加入濃度為30%~32%的鹽酸進行中和處理，加入量由鹽酸計量泵和pH計進行聯鎖控制，確保廢水中和后的pH值在6~9；

將高含氯離子廢水的pH值調至中性后，加入聚合氯化鋁混凝劑使高含氯離子廢水中的懸浮顆粒形成礬花，再加入聚丙烯酰胺絮凝劑使高含氯離子廢水中的礬花凝結成更大的塊狀沉淀；最后將凝結有塊狀沉淀的高含氯離子廢水置于沉淀槽中進行靜置沉淀，使上清液和沉淀進行分離，得到澄清度SS<25mg/l和pH值在6~9的氯化鈉溶液。

3.根據權利要求2所述的多晶硅生產中高含氯離子廢水的處理方法，其特征在于：加入的聚合氯化鋁混凝劑濃度為9%~12%，加入量為：1m3高含氯離子廢水加入10%的聚合氯化鋁4L的比例。

4.根據權利要求2所述的多晶硅生產中高含氯離子廢水的處理方法，其特征在于：加入的聚丙烯酰胺絮凝劑為白色粉末狀物質，陰離子型，分子量800萬以上，加入清水配制成濃度為0.08%~0.12%的溶液，加入量為：1m3高含氯離子廢水加入配制濃度為0.1%的聚丙烯酰胺絮凝劑2L。

5.根據權利要求1所述的多晶硅生產中高含氯離子廢水的處理方法，其特征在于：步驟B中所述濃縮采用反滲透方法，將氯化鈉溶液通過反滲透膜，水透過反滲透膜成為純水，即回用水。

6.根據權利要求1或5所述的多晶硅生產中高含氯離子廢水的處理方法，其特征在于：所述步驟B中對沉淀進行過濾時是通過板框壓濾機過濾；在過濾前的污泥是加入有輔助性的助濾劑，加入量為：1m3氯化鈉濃縮液加入4L的濃度為10%的聚合氯化鋁和1m3氯化鈉濃縮液加入2L的濃度為0.1%的聚丙烯酰胺絮凝劑溶液。

7.根據權利要求1所述的多晶硅生產中高含氯離子廢水的處理方法，其特征在于：步驟C中所述蒸發是將氯化鈉濃縮液通入蒸發器中，當有晶體析出時將飽和氯化鈉溶液輸送至結晶槽，通入循環冷卻水進行冷卻結晶。

8.根據權利要求7所述的多晶硅生產中高含氯離子廢水的處理方法，其特征在于：在蒸發的過程中，蒸發器內氣壓為：-90KPa~-98?KPa，蒸發器內物料溫度為：27~40℃，采用強制循環蒸發，循環泵出口不定時取樣發現有結晶體析出時，將飽和溶液輸送至結晶槽進行冷卻結晶。