[發明專利]一種半導體器件的制造方法

有效

• 申請號: 201110224017.1
• 申請日: 2011-08-05
• 公開（公告）號: CN102915971A
• 公開（公告）日: 2013-02-06
• 發明（設計）人: 李鳳蓮
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/8238
• 分類號: H01L21/8238;H01L21/3105
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 魏寧;劉明霞

1.一種半導體器件的制造方法，包括：

提供一個半導體襯底，所述半導體襯底具有PFET區和NFET區，并且在所述半導體襯底上形成有柵極結構以及位于柵極結構兩側的源/漏區；

在所述半導體襯底上形成應力材料層；

在所述半導體襯底中的PFET源/漏區形成凹槽；

去除覆蓋在PFET區的殘余的所述應力材料層；

在所述凹槽中形成鍺硅應力層；

對所述半導體襯底進行退火處理。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，還包括：在形成所述應力材料層之前，在所述半導體襯底上形成一氧化物層或氮氧化硅層。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述氧化物層或氮氧化硅層的厚度為80-150埃。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述氧化物層或氮氧化硅層的厚度為100埃。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述應力材料層是氮化硅層。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述氮化硅層的厚度為150-500埃。

7.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述氮化硅層是拉應力層。

8.?根據權利要求1所述的方法，其特征在于，進一步包括：在所述柵極結構的兩側形成間隙壁結構。

9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，采用先干法蝕刻后濕法蝕刻的方法形成所述凹槽。

10.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，采用先干法蝕刻后濕法蝕刻的方法形成所述凹槽，且所述干法蝕刻終止于覆蓋在柵極結構兩側的間隙壁結構上的所述氧化物層或氮氧化硅層。

11.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，去除覆蓋在PFET區的殘余的所述應力材料層終止于覆蓋在PFET區的所述氧化物層或氮氧化硅層。

12.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述凹槽的深度為200-800埃。

13.根據權利要求12所述的方法，其特征在于，所述凹槽的深度為400埃。

14.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，?采用外延生長工藝形成所述鍺硅應力層。

15.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述鍺硅應力層的厚度為200-1000埃。

16.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述退火處理是激光峰值退火。

17.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述退火處理的溫度為500-1300℃。

18.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，進一步包括：在所述退火處理之后，去除覆蓋在NFET區的所述應力材料層。

19.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，進一步包括：在所述退火處理之后，去除覆蓋在NFET區的所述應力材料層，去除所述半導體襯底上的殘余的所述氧化物層或氮氧化硅層。

20.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述柵極結構包括依次層疊的柵極介電層、柵極材料層和柵極硬掩蔽層。